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赖天树; 刘鲁宁; 寿倩; 雷亮; 文锦辉; 林位株;
中山大学,物理系,光电材料与技术国家重点实验室,广东,广州,510275;
自旋电子学; 自旋电子器件; 自旋弛豫; GaAs;
机译:GaAs(110)取向衬底上GaAs / AIGaAs量子阱中形貌与电子自旋弛豫时间之间的相关性
机译:GaAs / AlGaAs多量子阱中的电子自旋弛豫时间在取向不佳的GaAs(110)衬底上生长
机译:(110)GaAs / AlGaAs量子阱中室温栅极控制的电子自旋弛豫时间
机译:氦气温度下蛋白质,模型血红素复合物和铁氰化物溶液中的电子自旋晶格弛豫。
机译:电子-电子自旋相互作用对10 K至300 K之间玻璃态溶剂中一氧化氮自由基和四自由基的电子自旋弛豫的影响
机译:电子自旋的蒙特卡罗研究n型GaAs体中的弛豫
机译:自旋电子学特别技术领域评论。国防部电子器件工作组B(微电子)咨询小组的报告
机译:自旋弛豫变化方法,自旋电流检测方法以及使用自旋弛豫的自旋电子器件
机译:改变自旋弛豫的方法,用于检测自旋电流的方法以及使用自旋弛豫的自旋电子器件
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