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一种基于II－VI族半导体纳米带薄膜的光敏电阻及其制备方法

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摘要

本发明公开了一种基于II－VI族半导体纳米带薄膜的光敏电阻及其制备方法，该光敏电阻包括一Si衬底，在该Si衬底上有一层SiO

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2011-01-26

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L31/08 公开日:20090603 申请日:20080722

发明专利申请公布后的视为撤回
2009-07-29

实质审查的生效

实质审查的生效
2009-06-03

公开

公开

1. 一种基于II－VI族半导体纳米带薄膜的光敏电阻及其制备方法 [P] . 中国专利： CN101447522A . 2009-06-03
2. 一种柔性基底上II-VI族半导体薄膜的制备方法 [P] . 中国专利： CN109003889A . 2018-12-14
3. SOLUTION PHASE PREPARATION METHOD OF A GROUP II-VI COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN FILM AND A GROUP II-VI COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN FILM PREPARED THEREBY, CAPABLE OF REDUCING COSTS AND TIME REQUIRED FOR A PROCESS [P] . 韩国专利： KR101115389B1 . 2012-03-13

机译： II-VI族复合半导体薄膜和由此制备的II-VI族复合半导体薄膜的溶液相制备方法，能够降低成本和所需的时间
4. Method for producing a group II-VI compound semiconductor thin film and a group II-VI compound semiconductor device [P] . 美国专利： US5508522A . 1996-04-16

机译： II-VI族化合物半导体薄膜的制造方法和II-VI族化合物半导体器件
5. MANUFACTURE OF II-VI COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN FILM AND II-VI COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE [P] . 日本专利： JPH06338633A . 1994-12-06

机译： II-VI族复合半导体薄膜和II-VI族复合半导体器件的制造