文摘
英文文摘
致谢
1 绪论
1.1 引言
1.2 IV-VI族半导体材料的基本物理性质
1.2.1 IV-VI族半导体材料的晶体结构和能带结构
1.2.2 IV-VI族半导体材料的其他物理性质
1.3 IV-VI族半导体光电器件的发展历程与存在的问题
1.3.1 IV-VI族半导体光电器件的发展历程
1.3.2 IV-VI族半导体器件目前存在的主要问题
1.4 本论文的研究工作
2 实验简介
2.1 PbTe、PbSe半导体薄膜样品的制备
2.2 表面分析方法简介
2.2.1 扫描隧道显微镜(STM)
2.2.2 低能电子衍射(LEED)
2.2.3 光电子能谱(Photoemission Spectroscopy,PES)
3 在BaF2(111)衬底上分子束外延生长PbSe单晶薄膜的扫描隧道显微镜研究
3.1 引言
3.2 实验
3.3 结果与讨论
3.4 结论
4 Ag/PbTe(111)界面行为的光电子能谱研究
4.1 引言
4.2 实验
4.3 结果与讨论
4.3.1 Ag/PbTe(111)界面的XPS结果与讨论
4.3.2 Ag/PbTe(111)界面的UPS结果与讨论
4.4 结论
5 Mn/PbTe(111)界面行为的X光电子能谱研究
5.1 引言
5.2 实验
5.3 结果与讨论
5.4 总结
6 Mn/PbTe(111)界面行为的扫描隧道显微镜研究
6.1 引言
6.2 实验
6.3 结果与讨论
6.4 总结
7 总结与今后工作展望
7.1 本文研究工作总结
7.2 今后工作展望
参考文献
个人简历