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公开/公告号CN101320616A
专利类型发明专利
公开/公告日2008-12-10
原文格式PDF
申请/专利权人 复旦大学;
申请/专利号CN200810035234.4
发明设计人 张宗芝;赵慧;李振亚;马斌;金庆原;
申请日2008-03-27
分类号H01F10/32;H01L43/08;H01L29/66;G11B5/39;
代理机构上海正旦专利代理有限公司;
代理人陆飞
地址 200433 上海市邯郸路220号
入库时间 2023-12-17 21:10:54
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-09-28
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01F10/32 公开日:20081210 申请日:20080327
发明专利申请公布后的视为撤回
2009-12-30
实质审查的生效
2008-12-10
公开
机译: 具有垂直磁各向异性的自旋阀磁阻元件
机译: 使用具有垂直磁各向异性的自旋阀磁致电阻元件的传感器
机译: 使用具有垂直磁各向异性的自旋阀磁致电阻元件的存储器和RAM
机译:具有垂直磁各向异性的电流-垂直-平面自旋阀的磁光和自旋转移切换特性
机译:具有垂直磁各向异性的自旋阀约瑟夫森结,用于低温记忆
机译:具有垂直磁各向异性的[Co / Ni](N)/ [Co / Pt](N)基自旋阀的研究
机译:具有垂直磁各向异性的CoNi / Cu / CoPt伪自旋阀的间接交换耦合驱动磁化转换
机译:用于STT-MRAM应用的具有高垂直磁各向异性的L10级薄膜。
机译:TbFe在基于Co / Ni N的自旋阀中垂直磁各向异性和巨磁阻效应中的作用
机译:具有垂直磁各向异性的纳米柱自旋阀的状态图
机译:超薄Co / Ni多层膜的垂直磁各向异性研究铁磁共振和磁X射线显微光谱。