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缺陷修补结构及缺陷修补方法

摘要

本发明提供一种缺陷修补结构及缺陷修补方法。该修补结构具有多数层的结构,以修补具有缺陷的线路图案。另外,本发明提供的缺陷修补方法主要是利用具有多数层结构的转移材料接受电磁波光源照射后产生的碰撞压力,亦即直接来自光子撞击所产生的光压,辅以电磁波能量产生打断分子键结或爆炸现象,使材料转移至欲修补的区域中。通过本发明提供的结构与方法可以可解决传统转移材料时,修补材料因受光源照射后产生热影响的现象,而使得材料易氧化及应力破坏的问题。

著录项

  • 公开/公告号CN101276070A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2008-10-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 财团法人工业技术研究院;

    申请/专利号CN200710091734.5

  • 发明设计人 廖仕杰;陈辉达;王仪龙;

    申请日2007-03-30

  • 分类号G02F1/13;B23K26/00;

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人汤保平

  • 地址 台湾省新竹县

  • 入库时间 2023-12-17 20:49:36

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-05-16

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G02F1/13 公开日:20081001 申请日:20070330

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2009-03-11

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-10-01

    公开

    公开

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