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碳氟化合物蚀刻化学剂中使用氢气添加剂的掺碳的硅氧化物蚀刻

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一些实施例包括蚀刻方法(200和1600)，其包括提供蚀刻材料(210)、施加包含氢的气体混合物(230)、形成等离子体(240)和蚀刻该蚀刻材料(250)。蚀刻材料可以包括低k电介质材料。气体混合物可以包括氢气、无氢的碳氟化合物和氮气，还包括氢碳氟化合物气体、惰性气体和/或一氧化碳气体中的一种或多种。氢气可以是双原子氢、烃、硅烷和/或无氟的氢气，包括H

著录项

公开/公告号CN101124661A

专利类型发明专利
公开/公告日2008-02-13

原文格式PDF
申请/专利权人应用材料公司;
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申请/专利号CN200580015078.X
发明设计人古彬西;格拉多·戴戈迪诺;叶雁;迈克·明·余·陈;
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申请日2005-05-09
分类号H01L21/302;B44C1/22;H01L21/461;C03C15/00;C03C25/68;C23F1/00;
代理机构北京东方亿思知识产权代理有限责任公司;
代理人赵飞
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2023-12-17 19:49:57

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2009-09-09

发明专利申请公布后的视为撤回

发明专利申请公布后的视为撤回
2008-04-09

实质审查的生效

实质审查的生效
2008-02-13

公开

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