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在相同工艺流程内被独立访问的双栅和三栅晶体管

摘要

描述了一种在同一工艺流程中制造的独立访问的双栅和三栅晶体管。一绝缘塞从I-栅器件而不是三栅器件的半导体主体上去除。这例如能够允许金属化以形成在三栅器件的三个侧面上,并允许用于I-栅器件的独立栅极。

著录项

  • 公开/公告号CN101027772A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2007-08-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英特尔公司;

    申请/专利号CN200580032314.9

  • 发明设计人 B·多伊尔;P·常;

    申请日2005-09-29

  • 分类号H01L21/84;H01L21/336;H01L27/12;H01L29/786;

  • 代理机构上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人张政权

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-12-17 19:07:33

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-09-17

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/84 授权公告日:20110112 终止日期:20180929 申请日:20050929

    专利权的终止

  • 2011-01-12

    授权

    授权

  • 2007-10-24

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-08-29

    公开

    公开

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