法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-09-17
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/84 授权公告日:20110112 终止日期:20180929 申请日:20050929
专利权的终止
2011-01-12
授权
授权
2007-10-24
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-08-29
公开
公开
机译: 用于MOSFET的半导体结构,具有与n型双栅晶体管的背栅的一部分和p型双栅晶体管的背栅的一部分相接触的单阱,其中栅极被相同的掺杂剂掺杂。
机译: 在公共基板上制造双栅晶体管和三栅晶体管的方法
机译: 具有双栅晶体管和独立非对称栅的存储单元