公开/公告号CN1855429A
专利类型发明专利
公开/公告日2006-11-01
原文格式PDF
申请/专利权人 印芬龙科技股份有限公司;
申请/专利号CN200610073604.4
申请日2006-04-13
分类号H01L21/8234(20060101);H01L21/336(20060101);H01L27/088(20060101);H01L29/78(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人王仲贤
地址 德国慕尼黑
入库时间 2023-12-17 17:51:11
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-04-05
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/8234 授权公告日:20081001 终止日期:20180413 申请日:20060413
专利权的终止
2016-01-13
专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/8234 登记生效日:20151223 变更前: 变更后: 申请日:20060413
专利申请权、专利权的转移
2012-10-24
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L21/8234 变更前: 变更后: 申请日:20060413
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2012-10-24
专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/8234 变更前: 变更后: 登记生效日:20120917 申请日:20060413
专利申请权、专利权的转移
2008-10-01
授权
授权
2006-12-27
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-11-01
公开
公开
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机译: 用于集成电路的存储器即动态RAM中的晶体管即凹陷的沟道阵列晶体管具有布置在栅极沟槽中的栅电极,以及与栅极介电层上的层相对应的碳材料
机译: 形成凹陷的沟道阵列晶体管的方法和制造半导体器件的方法
机译: 具有凹陷沟道阵列晶体管的半导体器件的制造方法