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表面态驰豫区的半导体可饱和吸收镜

摘要

一种表面态驰豫区的半导体可饱和吸收镜,其特征在于,包括:一衬底;一缓冲层,该缓冲层制作在衬底上;一布拉格反射镜,该布拉格反射镜制作在缓冲层上,形成一高反射率的反射镜;一吸收区,该吸收区制作在布拉格反射镜上,采用常温生长的吸收区,非饱和损耗较小;一盖层,该盖层制作在吸收区上,该盖层与空气间高密度的表面态是载流子驰豫的通道。

著录项

  • 公开/公告号CN1705175A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2005-12-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN200410046063.7

  • 发明设计人 王勇刚;马骁宇;

    申请日2004-06-03

  • 分类号H01S3/098;G02B1/02;G02B5/00;

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人汤保平

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2023-12-17 16:50:55

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2007-11-14

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2006-02-01

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-12-07

    公开

    公开

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