公开/公告号CN1632941A
专利类型发明专利
公开/公告日2005-06-29
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华虹(集团)有限公司;上海集成电路研发中心有限公司;
申请/专利号CN200410093451.0
发明设计人 胡恒升;
申请日2004-12-23
分类号H01L21/768;H01L21/31;H01L21/3105;H01L21/3205;
代理机构上海正旦专利代理有限公司;
代理人滕怀流
地址 200020 上海市淮海中路918号18楼
入库时间 2023-12-17 16:12:33
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-09-09
发明专利申请公布后的视为撤回
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-02-20
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-06-29
公开
公开
机译: 沉积低介电常数薄膜的方法,基质处理系统,形成双大马士革结构的方法和双大马士革结构
机译: 在采用局部局部中间刻蚀停止层的同时形成双大马士革孔的方法
机译: 低聚合大马士革介电刻蚀中刻蚀停止层的刻蚀方法