具有氮/碳稳定的氧沉淀物成核中心的理想氧沉淀硅片及其制造方法

摘要

一种硅片，它具有一种受控制的氧沉淀性能，以便最后形成一个洁净区和晶片主体中的氧沉淀物，上述洁净区从前表面向内延伸，而上述氧沉淀物足够用于本征吸除的目的。具体地说，在形成氧沉淀物之前，晶片主体包括掺杂剂稳定的氧沉淀物成核中心。掺杂剂选自氮和碳，并且掺杂剂的浓度足够使氧沉淀物成核中心能承受热处理如一种外延淀积法，而同时保持溶解任何生长中成核中心的能力。