公开/公告号CN1585049A
专利类型发明专利
公开/公告日2005-02-23
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;
申请/专利号CN03154925.X
申请日2003-08-22
分类号H01F1/40;H01F41/00;H01L21/02;H01L21/265;H01L21/324;
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人汤保平
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2023-12-17 15:55:48
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2006-12-27
发明专利申请公布后的视为撤回
发明专利申请公布后的视为撤回
2005-04-27
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-02-23
公开
公开
机译: 离子注入法,用于通过改善离子注入法适当地形成像素隔离区域,固体成像装置的制造方法,固体成像装置和电子设备的方法
机译: 离子注入法,薄膜应力控制方法以及离子注入法
机译: 多能干细胞生产系统,多能干细胞培养方法,多能干细胞悬浮培养方法,多能干细胞培养培养箱,多能干细胞制备方法以及从动物细胞制备特定体细胞的方法