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公开/公告号CN1542966A
专利类型发明专利
公开/公告日2004-11-03
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;
申请/专利号CN03156532.8
发明设计人 杨育佳;陈豪育;黄健朝;李文钦;杨富量;胡正明;
申请日2003-09-03
分类号H01L27/04;H01L27/12;H01L29/786;H01L21/82;H01L21/84;
代理机构11127 北京三友知识产权代理有限公司;
代理人王一斌
地址 台湾省新竹科学工业园区
入库时间 2023-12-17 15:39:00
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2007-01-03
授权
2005-01-05
实质审查的生效
2004-11-03
公开
机译: 包括集成电路的半导体芯片,该集成电路包括在各个晶体管之间具有电连接的具有四个第一晶体管类型的晶体管和具有第二晶体管类型的四个晶体管的晶体管及其制造方法
机译: 绝缘体上的半导体芯片,包含部分耗尽,完全耗尽和多栅极晶体管的应变通道
机译: 将其完全清空后,将其结构部分转换到与该晶体管相同的尖端/芯片上
机译:基于全芯片实现的负电容场效应晶体管的最佳铁电参数 - 第二部分:电源电压的缩放
机译:使用局部接触蚀刻停止层的完全拉伸应变的部分绝缘体上硅n型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:非晶InGaZnO薄膜晶体管-第一部分:在整个子带隙能量范围内状态密度的完全提取
机译:具有完全或部分耗尽收集器的薄SOI双极晶体管的仿真研究
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:完全透明和灵敏度可编程的无定形铟 - 氧化锌基氧化物薄膜晶体管的生物传感器平台具有电阻开关存储器
机译:在具有完全底栅和部分顶栅结构的非晶氧化物半导体薄膜晶体管中偏置诱导的电离供体的迁移
机译:介质隔离结场效应晶体管和pNp晶体管的制作方法。