公开/公告号CN1459873A
专利类型发明专利
公开/公告日2003-12-03
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院微电子中心;
申请/专利号CN02117379.6
申请日2002-05-21
分类号H01L29/737;
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人汤保平
地址 100029 北京市德胜门外祁家豁子
入库时间 2023-12-17 15:01:15
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2005-07-27
发明专利申请公布后的视为撤回
发明专利申请公布后的视为撤回
2004-02-11
实质审查的生效
实质审查的生效
2003-12-03
公开
公开
2002-08-28
实质审查的生效
实质审查的生效
机译: 砷化镓锑化镓(GaAsSb)/磷化铟(InP)异质结双极晶体管(HBT)具有降低的隧穿概率
机译: 砷化镓锑(GaAsSB)/磷化铟(InP)异质结双极晶体管(HBT)的隧穿概率降低
机译: 晶格匹配的磷化铟衬底上的外延磷化铟镓砷化物层和器件