用于测量多层重叠对准精确度的重叠游标图案及测量方法

摘要

一种用于测量多层重叠对准精确度的重叠游标图案及测量方法，该方法测量一第一材料层上的一第一对准标记与一第二材料层上的一第二对准标记间的距离，以获得该第一材料层与该第二材料层间的对准偏移量；另外，该方法亦可测量该第二材料层上的该第二对准标记与一第三材料层上的一第三对准标记间的距离，以获得该第二材料层与该第三材料层间的对准偏移量；由于在测量该第一材料层与第二材料层间的对准精确度及测量该第二材料层与该第三材料层间的对准精确度时，该第二对准标记可被重复使用，因此便可节省用来形成对准标记的切割道面积及测量时间，而增加产品的生产率。

说明书

技术领域

本发明涉及半导体集成电路的制造，尤其是一种于一基底上测量多层重叠对准精密度(multi-layer overlay alignment accuracy)的重叠游标图案及方法，尤指一种可测量一光阻层与复数个材料层间的重叠对准精密度的重叠游标图案及方法。

背景技术

半导体集成电路的制造中要经过很多处理步骤，例如光罩、光阻涂布、蚀刻及沉积。在这些步骤中，为了形成所想要的集成电路元件，会使材料重叠或自现层移除。因此各种处理程序中各层的适当对准具有其关键性。在目前的半导体制程中大多是利用标示法来测量不同材料层间的对准精确度(alignment accuracy，AA)，标示法利用一后层上的一特定位置来与一前层上的一特定位置相比较，例如使后层上的一对准图案重叠于前层上的一对准图案上方，进而利用此二对准图案来量测后层与前层间的对准精确度。每一个对准图案中至少应包含一个对准标记，因此通过量测后层上的对准标记与前层上的对准标记间的距离，即可获得前层与后层之间的对准偏移量。目前常见的对准标记包括盒内(box-in-box)光学游标与条状(bar-in-bar)光学游标。

请参阅图1，图1为习知一用于测量层间(layer-to-layer)重叠对准精确度的重叠游标图案的顶视图。图2为图1所示的重叠游标图案沿着切线1A-1A′的剖面示意图。在图1中显示出一典型的条状重叠游标图案20，举例来说，重叠游标图案20由复数个形成于一材料层10中的对准标记22与复数个形成于一材料层12中的对准标记24所组成，重叠游标图案20的剖面示意图如图2所示。对准标记22与24在测试晶圆的切割道上排列，并对称于重叠游标图案20的中心。材料层10可为一硅基底、一导电层或一绝缘层。材料层12可为一导电层或一绝缘层。对准标记22与24可以利用正型光阻或负型光阻来定义其图案，因此对准标记22与24可为凹陷于材料层10、12中的凹槽结构，或为凸出于其下方的材料层表面的柱状结构。理想上，对准标记22为熟知该所述技术者所知的方法形成的蚀刻后检视(after-etch-inspection，AEI)凹槽结构。对准标记24则为熟知该所述技术者所知的方法形成的显影后检视(after-development-inspection，ADI)柱状光阻图案。

欲测量材料层12对材料层10的对准偏差时，要先测量对准标记24中心点至其邻近对准标记22中心点间的距离B₁，及另一个对准标记24中心点至其邻近对准标记22中心点的距离B₂，其可利用一种对准精确度测量仪器来取得，例如扫描电子显微镜来测量。接着，计算B₁与B₂间的差值，便可得到材料层10与12间的对准偏移量。同样地，若欲测量材料层12及其上层(未示于图中)间的对偏时，要在切割道的另一个区域中制作另一组重叠游标形状来测量，其包含复数个在材料层12及其上层中的对准标记。

然而，随着集成电路技术的提升与需求，其要求尺寸不断地缩小，而目前已发展出多层结构的晶片。对于一个三层或更复杂的结构而言，目前技术已可以进行任两层材料层的层间对准精确度测量，但其会各别占用到切割道面积，并花费许多测量时间。故为了能有效测量多层结构的重叠对准精确度，重叠游标图案及其测量方法的发展是非常重要的。

发明内容

因此本发明的主要目的在于提供一种能有效测量多层半导体结构的重叠对准精确度的重叠游标图案及其测量方法，以提高产品产量。

为达成上述目的，本发明提出一种用于测量多层重叠对准精确度的重叠游标图案及测量方法，该重叠游标图案包含复数个第一对准标记设于一第一材料层上，复数个第二对准标记设于一覆盖于在第一材料层表面的第二材料层，以及复数个第三对准标记设于一覆盖于第二材料层表面的第三材料层上。其中一第一对准标记与一相对应的第三对准标记间的距离是用来测量该第一材料层与该第三材料层间的对准偏差，而该第三对准标记与一相对应的第二对准标记间的距离则是用来测量该第三材料层与该第二材料层间的对准偏差。由于在测量该第一材料层与第二材料层间的对准精确度及测量该第二材料层与该第三材料层间的对准精确度时，该第二对准标记可被重复使用，因此便可节省用来形成对准标记的切割道面积及测量时间，而增加产品的生产率。

本发明的主要优点在于使三层结构或多层结构中的每一材料层上的对准标记均重叠于基底上的同一区域中，因此当欲测量任两个材料层的层间对准精确度时均可于上述同一区域内进行，进而可以节省切割道面积及测量时间，提高半导体元件的生产率。

附图说明

为使熟知该所述技术者能充分了解本发明的上述以及其它目的，于下文中以本发明的较佳实施例，配合所附图式，作详细说明。

图式的简单说明

图1为习知一用于测量层间重叠对准精确度的重叠游标图案的顶视图；

图2为图1所示的重叠游标图案沿着切线1A-1A′的剖面示意图；

图3为本发明第一实施例的一用于测量多层重叠对准精确度的重叠游标图案的顶视图；

图4为图3所示的重叠游标图案沿着切线2A-2A′的剖面示意图；

图5为本发明第二实施例的一用于测量多层重叠对准精确度的重叠游标图案的顶视图；

图6为图5所示的重叠游标图案沿着切线3A-3A′的剖面示意图；

图7为本发明第三实施例的一用于测量多层重叠对准精确度的重叠游标图案的顶视图；

图8为图7所示的重叠游标图案沿着切线4A-4A′的剖面示意图；

图9为本发明第四实施例的一用于测量多层重叠对准精确度的重叠游标图案的顶视图；

图10为图9所示的重叠游标图案沿着切线5A-5A′的剖面示意图。

图示的符号说明

10  材料层                12    材料层

22  对准标记              24    对准标记

30  材料层                32    材料层

34  材料层                40    重叠游标图案

42  对准标记              44    对准标记

46  对准标记              50    材料层

52  材料层                54    材料层

62  对准标记              60    重叠游标图案

64  对准标记              66    对准标记

70  材料层                72    材料层

80  重叠游标图案          82    对准标记

84  对准标记              86    对准标记

90  材料层                92    材料层

94  材料层                100重叠游标图案

102  对准标记                104对准标记

106  对准标记                108对准标记

B₁、B₂对准标记22与24中心点间的距离

C₁、C₂对准标记42与44中心点间的距离

D₁、D₂    对准标记46与44中心点间的距离

E₁、E₂    对准标记62与64中心点间的距离

F₁、F₂对准标记66与64中心点间的距离

G₁、G₂    对准标记82与86中心点间的距离

H₁、H₂    对准标记82与84中心点间的距离

I₁、I₂    对准标记86与84中心点间的距离

J₁、J₂    对准标记102与106中心点间的距离

J₁′、J₂′对准标记102与108中心点间的距离

K₁、K₂    对准标记104与106中心点间的距离

K₁′、K₂′对准标记104与108中心点间的距离

L₁、L₂对准标记106与108中心点间的距离

具体实施方式

请参阅图3与图4，图3为本发明第一实施例的一用于测量多层重叠对准精确度的重叠游标图案的顶视图，图4则为图3所示的重叠游标图案沿着切线2A-2A′的剖面示意图。图3中显示出一典型的条状重叠游标图案40，例如在材料层30中形成复数个对准标记42、在材料层30上方的材料层32中形成复数个对准标记44，以及在材料层32上方的材料层34中形成复数个对准标记46，如图4的剖面图所示。此外，在本发明的其他实施例中，重叠游标图案40亦可为盒内重叠游标图案。对准标记42、44及46设置于一测试晶圆的切割道上，并对称于重叠游标图案40的中心。材料层30可为一硅基底、一导电层或一绝缘层，材料层32与34可为一导电层，例如多晶硅层。

对准标记42、44及46可以利用正型光阻或负型光阻来定义其图案，因此对准标记42、44及46可分别为凹陷于材料层30、32及34中的凹槽结构，或为凸出于其下方的材料层表面的柱状结构。理想上，对准标记42与44为熟知该所述技术者所知的方法形成的蚀刻后检视凹槽结构。对准标记40则为熟知该所述技术者所知的方法形成的显影后检视柱状光阻图案。

在测量材料层32对30的对准偏差时，本发明提供一种以永久存储器贮存的演算法，来测量对准标记42中心点至其邻近对准标记44中心点的距离C₁，及另一个对准标记42中心点至其邻近对准标记44中心点的距离C₂，接着将C₁与C₂相比较，计算两者的差，便可得到材料层30与32间的对准偏移量。

同样地，在测量材料层32对34的对准偏差时，亦可使用以永久存储器贮存的同一演算法来测量对准标记44中心点至其邻近对准标记46中心点的距离D₁，以及另一个对准标记44中心点至其邻近对准标记46中心点的距离D₂。然后将D₁与D₂相比较，计算两者的差，便得到材料层32与34间的对准偏移量。

根据本发明，用于测量材料层30与32之间以及材料层32与34之间对准精确度的对准游标，可在切割道的同一区域排列。特别是在测量材料层30与32之间以及材料层32与34之间的对准精确度时，对准标记44可被重复使用。因此，本发明可有效解决先前技术中浪费切割道面积及测量时间的问题。

本发明的重叠游标图案的第二实施例示于图5与图6。在第二实施例中，重叠游标图案60为一个三层重叠游标图案，其包含了复数个在材料层50上的对准标记62、复数个在材料层52上的对准标记64及复数个在材料层54上的对准标记66。除了顶部材料层54上的对准标记66是凹陷蚀刻于材料层54中，重叠游标图案60的其他结构均与第一实施例的重叠游标图案40相似。

在测量重叠游标图案60的对准精确度时，先测量对准标记62至其邻近对准标记64中心点的距离E₁，以及另一个对准标记62至其邻近对准标记64中心点的距离E₂。然后将距离E₁与E₂相比较，计算两者的差，便得到材料层50与52之间的对准偏移量。

同样地，要测量材料层52对材料层54的对准偏差时，先测量对准标记64至其邻近对准标记66中心点间的距离F₁，以及另一个对准标记64至其邻近对准标记66中心点间的距离F₂。然后将距离F₁与F₂相比较并计算其差值，可得到材料层52与54之间的对准偏移量。

本发明的重叠游标图案的第三实施例示于图7与图8。在第三实施例中，重叠游标图案80为一个两层(two-layer)重叠游标图案，其包含复数个对准标记82设于一材料层70上，以及复数个对准标记84与86设在一覆盖于材料层70表面的材料层72中。对准标记82、84及86排列在一测试晶圆的切割道中，并对称于重叠游标图案80的中心。材料层70可为一导电层，例如多晶硅层或硅基底，或者材料层70也可为一绝缘层。材料层72可为一显影后的光阻层。对准标记82、84及86可以利用正型光阻或负型光阻来定义其图案，因此对准标记82、84及86可分别为凹陷于材料层70与72中的凹槽结构，或为凸出于其下方材料层表面的柱状结构。理想上，对准标记82为熟知该所述技术者所知方法形成的蚀刻后检视凹槽结构。对准标记84则为利用一第一微影制程形成的显影后检视凹槽光阻图案。对准标记86为利用一第二微影制程形成的显影后检视凹槽光阻图案。

当欲于第一微影制程完成后测量材料层70与72间的对准偏差时，本发明提供一种以永久存储器贮存的演算法，来测量对准标记82至其邻近对准标记84中心点的距离H₁，及另一个对准标记82至其邻近对准标记84中心点的距离H₂，接着将H₁与H₂相比较，计算两者的差，便可得到材料层70与72间的对准偏移量。

同样地，当欲于第二微影制程完成后测量材料层70对材料层72的对准偏差时，亦可使用以永久存储器贮存的演算法，测量对准标记82至其邻近对准标记86中心点间的距离G₁，以及另一个对准标记82至其邻近对准标记86中心点间的距离G₂。然后，将距离G₁与G₂相比较，计算两者的差，便可得到材料层70与72的对准偏移量。

此外，重叠游标图案80亦可用来测量由第一微影制程形成的对准标记84以及第二微影制程形成的对准标记86之间的对准偏差。在测量对准标记84对86的对准偏差时，先取得对准标记84至其邻近对准标记86中心点之间的距离I₁，以及另一个对准标记84至其邻近对准标记86中心点间的距离I₂。然后，将距离I₁与I₂相比较，计算两者的差，便得到对准标记84与86之间的对准偏移量。

根据本发明，上述分别用于测量第一微影制程的后材料层70与材料层72间对准精确度的对准游标，第二微影制程的后材料层70与材料层72间对准精确度的对准游标，以及用于测量第一微影制程和第二微影制程对准精确度的对准游标，皆可在同一割道区域中排列。特别是在测量材料层70与72之间的对准精确度以及两微影制程的对准精确度时，可重复使用对准标记84与86。因此，本发明可有效解决在先前技术中浪费切割道面积及测量时间的问题。

本发明的重叠游标图案的第四具体实施例示于图9与图10。在第四实施例中，重叠游标图案100为一个三层重叠游标图案，其包含了复数个设于材料层90上的对准标记102、复数个设于材料层92上的对准标记104及复数个设于材料层94上的对准标记106与108。材料层90与材料层70相似，可为一导电层或绝缘层，而材料层94与材料层72相似，为一显影后的光阻层。重叠游标图案100与重叠游标图案80不同之处在于重叠游标图案100在材料层90与94之间插入了材料层92，且材料层92可为一导电层或一绝缘层。

理想上，对准标记102与104为熟知该所述技术者所知方法所形成的蚀刻后检视凹槽结构。对准标记106为利用一第一微影制程制成的显影后检视凹槽光阻图案。对准标记108则为利用一第二微影制程制成的显影后检视凹槽光阻图案。

当欲于第一微影制程完成后测量材料层90对材料层94的对准偏差时，先测量对准标记102至其邻近对准标记106中心点的距离J₁，及另一个对准标记102至其邻近对准标记106中心点的距离J₂。接着将J₁与J₂相比较，计算两者的差，便可得到材料层90与94间的对准偏移量。

同样地，当欲于第二微影制程完成后测量材料层90对材料层94的对准偏差时，先取得对准标记102至其邻近对准标记108中心点的距离J₁′，及另一个对准标记102至其邻近对准标记108中心点的距离J₂′，接着将J₁′与J₂′相比较，计算两者的差，便可得到材料层90与94间的对准偏移量。

此外，在第一微影程序后亦可测量K₁与K₂以得到材料层92与94之间的对准偏移量。在第二微影程序后亦可测量K₁′与K₂′以得到材料层92与94的对准偏移量。另外，利用第一微影制程制成的对准标记106及第二微影制程制成的对准标记108来测量L₁与L₂，即可获得对准标记106与108间的对准偏移量。

相较于习知技术，本发明使每一材料层的对准标记排列在基底的同一区域中。因此对于多层结构而言，其任两个材料层的层间对准精确度的测量可以在一个区域中同时完成，具有节省切割道面积及测量时间而提高产品生产率的优点。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明申请专利范围所做的均等变化与修饰，皆应属本发明专利涵盖的范围。