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用于组合的X射线反射测量术与光电子光谱术的系统及方法

摘要

本文中呈现用于基于组合x射线反射测量术XRR及x射线光电子光谱术XPS测量半导体结构的结构及材料特性的方法及系统。组合XRR及XPS系统包含由XRI测量子系统及XPS测量子系统两者共享的x射线照明源及x射线照明光学器件。此通过同时收集来自晶片的相同区域的XRR测量数据及XPS测量数据而增加处理量及测量精确性。组合XRR及XPS系统通过采用XRR测量数据以改进由所述XPS子系统执行的测量而改进测量精确性且反之亦然。另外,组合XRR及XPS系统实现XRR测量数据及XPS测量数据两者的同时分析以更精确地估计一或多个所关注参数的值。在进一步方面中,独立地控制测量点大小、光子通量、射束形状、射束直径及照明能量中的任一者。

著录项

  • 公开/公告号CN111566472A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-08-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 科磊股份有限公司;

    申请/专利号CN201980007193.4

  • 申请日2019-01-04

  • 分类号G01N23/20008(20060101);G01N21/27(20060101);G01B15/02(20060101);G01B15/08(20060101);G01J3/50(20060101);

  • 代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人刘丽楠

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-12-17 11:24:22

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-21

    公开

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