公开/公告号CN111344869A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-06-26
原文格式PDF
申请/专利权人 英特尔公司;
申请/专利号CN201880062548.5
申请日2018-01-05
分类号H01L29/78(20060101);H01L29/66(20060101);H01L29/423(20060101);H01L29/06(20060101);H01L29/41(20060101);
代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;
代理人张伟
地址 美国加利福尼亚
入库时间 2023-12-17 10:16:29
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-06-26
公开
公开
机译: 通过沟道掺杂和栅极材料功函数方案,具有具有不同阈值电压的NMOS和PMOS晶体管的集成电路
机译: 具有多个阈值电压的场效应晶体管结构及其制造方法
机译: 具有增强的沟道电荷感应材料层和阈值电压控制的晶体管