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绝缘膜研磨用CMP研磨剂、研磨方法、通过该研磨方法研磨的半导体电子部件

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摘要

本发明提供一种在使层间绝缘膜、BPSG膜、浅沟槽隔离用绝缘膜或配线间的绝缘膜层平坦化的CMP技术中，能够高效并且高速地进行SiO

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-03-22

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C09K 3/14 授权公告日:20120919 终止日期:20160131 申请日:20070131

专利权的终止
2012-09-19

授权

授权
2009-04-22

实质审查的生效

实质审查的生效
2009-02-25

公开

公开

1. 绝缘膜研磨用CMP研磨剂、研磨方法、通过该研磨方法研磨的半导体电子部件 [P] . 中国专利： CN101375376B . 2012.09.19
2. 研磨用磨料、研磨剂、研磨液、研磨液的制造方法、研磨方法以及半导体元件的制造方法 [P] . 中国专利： CN1670114B . 2010.05.12
3. CMP abrasive, method for polishing substrate and method for manufacturing semiconductor device using the same, and additive for CMP abrasive [P] . 美国专利： US8002860B2 . 2011-08-23

机译： CMP研磨剂，基板的研磨方法以及使用该研磨剂的半导体装置的制造方法以及CMP研磨剂的添加剂
4. CMP abrasive, method for polishing substrate and method for manufacturing semiconductor device using the same, and additive for CMP abrasive [P] . 美国专利： US2007169421A1 . 2007-07-26

机译： CMP研磨剂，基板的研磨方法以及使用该研磨剂的半导体装置的制造方法以及CMP研磨剂的添加剂
5. CMP abrasive, method for polishing substrate and method for manufacturing semiconductor device using the same, and additive for CMP abrasive [P] . 欧洲知识产权局专利： EP1691401A3 . 2006-10-25

机译： CMP研磨剂，基板的研磨方法以及使用该研磨剂的半导体装置的制造方法以及CMP研磨剂的添加剂