一种有效改善硫系玻璃镀膜膜层牢固度问题的镀膜工艺

摘要

本发明公开了一种有效改善硫系玻璃镀膜膜层牢固度问题的镀膜工艺，采用真空室进行硫系玻璃的镀膜加工，熔料开始前真空室在120~130℃，条件下恒温不小于30min，且在进行离子源清洗硫系玻璃基底和离子源助镀过渡层薄膜时离子能量参数皆为电压240‑280V，电流7‑10A，镀膜结束后采用阶梯降温的方式冷却，在进行镀膜时，不改变薄膜膜系结构的基础上对参数的优化来解决硫系玻璃易脱膜这一问题。