包含α-Ta层的扩散阻挡层的制备方法以及复合扩散阻挡层

摘要

本发明提供了一种包含α‑Ta层的扩散阻挡层的制备方法，首先形成TaN层，并对TaN层进行惰性气体等离子体处理，然后在经惰性气体等离子体处理后的TaN层表面沉积Ta形成α‑Ta层。本发明还提供了一种铜互连的形成方法以及一种复合的扩散阻挡层。本发明的制备方法形成的扩散阻挡层包括TaN层以及低阻值的α‑Ta层，α相的Ta层能明显降低阻挡层的电阻值。本发明的制备方法以及铜互连方法可直接利用现有的装置，工艺简单，便于操作，易于工业化推广。