PVAm改性OHP薄膜的应用、聚合物钙钛矿RRAM器件及其制备方法

摘要

本发明公开了PVAm改性OHP薄膜在聚合物钙钛矿RRAM器件中的应用，并且还公开了聚合物钙钛矿RRAM器件及其制备方法，通过用聚乙烯胺（PVAm）离子部分取代钙钛矿结构中的甲铵离子（MA+），以制备兼具高开关比、长期稳定性和柔性的聚合物钙钛矿RRAM器件。本发明的聚合物钙钛矿RRAM器件表现出快速响应的、稳定可靠的、可循环擦写的非易失阻变特性，未封装器件在环境条件下的电开关比为105，操作电压为‑0.45 V。通过调控限制电流，器件还可实现多阶阻变特性。此外，柔性聚合物钙钛矿RRAM器件表现出良好的弯折耐受性，其在经过100次反复弯折之后仍维持最初的阻变特性。