防止硅通深孔侧壁刻蚀的底部刻蚀方法

摘要

本发明公开了一种防止硅通深孔侧壁刻蚀的底部刻蚀方法，在晶圆级芯片尺寸封装中进行深孔底部刻蚀之前，通过在晶圆的背面覆盖一层干膜，再通过光刻工艺，暴露出小孔孔底进行刻蚀，有效解决了晶圆级芯片尺寸封装中深孔侧壁被刻蚀，孔底有异物残留，表面材料被严重刻蚀的问题，简化了工艺，提高了产品的良率，同时，有效改善了产品的可靠性。