一种磁控溅射法制备钼掺杂氧化锌薄膜的方法

摘要

本发明涉及一种磁控溅射法制备钼掺杂氧化锌薄膜的方法，其步骤如下：1）将玻璃衬底置于磁控溅射仪的衬底托盘上，固定；2）将ZnO靶和Mo靶分别置于射频靶位和直流靶位上，调整靶位置，使直流靶的轴线与衬底表面呈平行状态，射频靶的轴线与水平面之间夹角为70～80°；3）溅射制备ZnO:Mo透明导电薄膜。本发明制备的钼掺杂氧化锌薄膜普遍具有良好的质量及光电性能，薄膜的电阻率可达到3.829×10