包含具有内埋式温度补偿层的电极的谐振器装置

摘要

本发明案涉及一种包含具有内埋式温度补偿层的电极的谐振器装置。声学谐振器包含衬底和安置在所述衬底上方的第一复合电极。所述第一复合电极包含第一和第二导电层以及安置在所述第一与第二导电层之间的第一温度补偿层。所述第二导电层在所述第一温度补偿层的至少一侧上形成与所述第一导电层的第一电接触，且所述第一电接触使所述第一温度补偿层的第一电容组件电短路。

说明书

相关申请案的交叉引用

本申请案根据37C.F.R.§1.53(b)是在2010年4月29日申请的标题为“包含具有内 埋式温度补偿层的电极的谐振器装置(RESONATOR DEVICE INCLUDING ELECTRODE  WITH BURIED TEMPERATURE COMPENSATING LAYER)”的颁给理查德C.鲁宾 (Richard C.Ruby)等人的第12/769,791号共同拥有的美国专利申请案的部分接续申请案。 申请人根据35U.S.C.§120主张第12/769,791号美国专利申请案的优先权，且第 12/769,791号美国专利申请案的全部揭示内容特此以引用方式并入。

技术领域

本发明涉及谐振器装置，明确地说涉及声学谐振器装置。

背景技术

电谐振器广泛并入于现代电子装置中。举例来说，在无线通信装置中，射频(RF)及 微波频率谐振器用作滤波器，例如具有形成为梯子结构的电串联连接且分路的谐振器的 梯式滤波器。所述滤波器可包含在双工器中，例如连接在单一天线与接收器和发射器之 间以分别对所接收和所发射的信号进行滤波。

各种类型的滤波器使用机械谐振器，例如体声波(BAW)谐振器及表面声波(SAW)谐 振器。所述谐振器一般将电信号转换成机械信号或振动，和/或将机械信号或振动转换成 电信号。BAW谐振器例如为一般在两个电极之间包含一层压电材料的声学堆叠。声波 实现横越声学堆叠的谐振，其中所述波的谐振频率是由所述声学堆叠中的材料和每一层 (例如，压电层和电极层)的厚度确定的。一种类型的BAW谐振器包含压电薄膜作为压 电材料，其可被称为薄膜体声学谐振器(FBAR)。FBAR在GHz频率下谐振，且因此相 对紧凑，具有约数微米的厚度和数百微米的长度和宽度尺寸。

谐振器可用作带通滤波器，其具有提供准许穿过所述滤波器的频率范围的相关联通 带。谐振器滤波器的通带倾向于响应于环境和操作因素(例如，温度和/或入射电力的变 化)而移位。举例来说，谐振器滤波器的通带响应于温度上升和入射电力变高而在频率上 向下移。

明确地说，蜂窝电话受到由温度和电力的波动引起的通带移位的不利影响。举例来 说，蜂窝电话包含必须能够应对在滤波器(双工器)的边缘处的大于预期的插入损耗的功 率放大器(PA)。在滤波器通带例如归因于温度上升而在频率上向下移时，滤波器中的最 大电力吸收点(其经设计而将高于通带)向下移动到FCC或政府指定的通带的频率范围 中。此时，滤波器开始从PA吸收更多电力且变热，从而致使温度进一步升高。因此， 滤波器通带在频率上向下移位更多，从而使最大滤波器吸收点甚至更近。此会引致潜在 的失控情形，其仅可通过以下事实来避免：反射功率变大且滤波器最终稳定在某一高温 下。

PA经特别设计以处置滤波器在通带的拐角处的最坏状况电力处置。典型PA的电流 范围可从在滤波器通带的中心处的几mA到在边缘处的约380mA到450mA。此为PA 以及驱动蜂窝电话的电池上的巨大电力消耗(power draw)。此为比起接收模式(即接听时 间)更多地在发射模式(即，讲话时间)中操作的蜂窝电话更快速地汲取电池电力一个原 因。

为了防止或减小温度上升，已知滤波器可在声学堆叠的压电层内包含一层氧化物材 料。所述氧化物材料具有正温度系数，所述正温度系数至少部分地分别补偿金属电极与 压电材料的负温度系数。举例来说，所述氧化物材料可处于压电层的中心或处于所述电 极之间的压电层的任一末端处。然而，氧化物材料添加到压电层会极大损害谐振器的声 学耦合系数(kt²)。这是因为氧化物材料呈现为与主动压电材料电介质串联的“失效”电 容器。此外，氧化物材料可能污染压电材料。举例来说，当压电材料为氮化铝(AlN)时， 氧化物材料致使AlN变为包含氧的化合物(例如，AlN_(x)O_(y))，其为非压电材料，因此使 声学耦合系数进一步降级。

因此，需要一种至少克服上文所描述的已知机械谐振器的缺陷的机械谐振器。

发明内容

在一代表性实施例中，一种声学谐振器包含衬底和安置在所述衬底上方的第一复合 电极。所述第一复合电极包含第一和第二导电层以及安置在所述第一与第二导电层之间 的第一温度补偿层。所述第二导电层在所述第一温度补偿层的至少一侧上形成与所述第 一导电层的第一电接触，且所述第一电接触使所述第一温度补偿层的第一电容组件电短 路。所述声学谐振器还包含安置在所述第一复合电极上方的压电层和安置在所述压电层 上方的第二复合电极。所述第二复合电极包含第三和第四导电层以及安置在所述第三与 第四导电层之间的第二温度补偿层。所述第四导电层在所述第二温度补偿层的至少一侧 上形成与所述第三导电层的第二电接触，且所述第二电接触使所述第二温度补偿层的第 二电容组件电短路。所述声学谐振器还包含安置在所述第一复合电极下方的声学反射 器。

在另一代表性实施例中，一种声学谐振器装置包含声学谐振器，所述声学谐振器包 含衬底和安置在所述衬底上方的第一复合电极。所述第一复合电极包含第一和第二导电 层以及安置在所述第一与第二导电层之间的第一温度补偿层。所述声学谐振器还包含安 置在所述第一复合电极上方的压电层和安置在所述压电层上方的第二复合电极，所述压 电层具有一厚度。所述第二复合电极包含第三和第四导电层以及安置在所述第三与第四 导电层之间的第二温度补偿层。所述声学谐振器还包含安置在所述第一复合电极下方的 声学反射器。所述第一与第二复合电极关于大体上沿着所述压电层的厚度的中心穿过的 对称轴而对称地安置。

附图说明

当结合附图阅读时，可从以下详细描述最佳地理解实例实施例。应强调，各种特征 未必是按比例绘制。实际上，尺寸可为了论述清楚起见而任意增大或减少。在适用且实 际的情况下，相同参考数字指代相同元件。

图1是说明根据一代表性实施例的声学谐振器装置的横截面图。

图2展示比较已知声学谐振器与根据一代表性实施例的声学谐振器的频率响应的曲 线图。

图3A到3G是描绘根据一代表性实施例的声学谐振器装置的说明性制造顺序的横 截面图。

图4是说明根据另一代表性实施例的声学谐振器装置的横截面图。

图5A到5E是描绘根据一代表性实施例的声学谐振器装置的说明性制造顺序的横截 面图。

具体实施方式

在以下详细描述中，出于解释而非限制的目的，阐述揭示具体细节的代表性实施例 以便提供对本发明教示的彻底理解。然而，得益于本发明的所属领域的一般技术人员将 显而易见，根据本发明教示的脱离本文揭示的具体细节的其它实施例仍在所附权利要求 书的范围内。此外，可省略对熟知设备和方法的描述以免混淆对代表性实施例的描述。 此类方法和设备明显属于本发明教示的范围内。

一般来说，应理解，图式和其中描绘的各种元件不是按比例绘制。此外，例如“上 方”、“下方”、“顶部”、“底部”、“上部”、“下部”、“左侧”、“右侧”、 “垂直”和“水平”等相对术语用以描述各种元件彼此的关系，如在附图中所说明。应 理解，这些相对术语既定还涵盖装置和/或元件除图式中描绘的定向之外的不同定向。举 例来说，如果装置相对于图式中的视图翻转，那么例如描述为在另一元件“上方”的元 件现在将在所述元件“下方”。同样，如果装置相对于图式中的视图旋转90度，那么 例如描述为“垂直”的元件现在将为“水平”。

本发明教示的方面与BAW的组件以及FBAR装置和滤波器、其材料和其制造方法 有关。此类装置和对应制造方法的各种细节可例如见于以下美国专利公开案中的一者或 一者以上中：颁予拉肯(Lakin)的第6,107,721号美国专利；颁予鲁宾(Ruby)等人的第 5,587,620号、第5,873,153号、第6,507,983号、第7,388,454号和第7,629,865号美国专 利；颁予冯红军(Hongjun Feng)等人的第7,280,007号美国专利；颁予克罗伊(Choy)等人 的第8,248,185号美国专利；颁予杰姆尼拉(Jamneala)等人的第20070205850号美国专利 申请公开案；以及颁予克罗伊(Choy)等人的第20100327994号美国专利申请公开案。这 些专利和公开的专利申请案的揭示内容特此以引用方式并入。应强调，这些专利和专利 申请案中描述的组件、材料和制造方法是代表性的，且涵盖在所属领域的一般技术人员 的理解范围内的其它制造方法和材料。

根据各种实施例，一种谐振器装置具有声学堆叠，所述声学堆叠在顶部与底部复合 电极之间具有压电层，所述顶部和底部复合电极均具有沉积在导电层之间的温度补偿 层，所述温度补偿层可被称为基电极层和导电插入层。所述温度补偿层中的每一者可由 例如具有正温度系数的多晶硅或氧化物材料(例如，硼硅酸盐玻璃(BSG))形成，所述正温 度系数补偿压电层以及顶部和底部复合电极中的导电材料的负温度系数的至少一部分。 所述导电插入层因此形成与顶部和底部复合电极中的每一者中的电极层的DC电连接， 从而有效地使相应温度补偿层的电容组件短路且增大谐振器装置的耦合系数kt²。而且， 定位在所述温度补偿层与压电层之间的导电插入物呈现防止氧例如扩散到压电层的压 电材料中的势垒。

图1是根据一代表性实施例的BAW谐振器装置(且更明确地说，在所描绘的说明性 配置中的FBAR)的横截面图，其包含具有内埋式温度补偿层的复合电极。

参看图1，声学谐振器装置100包含形成于衬底110上的声学堆叠105。衬底110 可由与半导体工艺兼容的各种类型的半导体材料形成，例如硅(Si)、砷化镓(GaAs)、磷 化铟(InP)等，其可用于集成连接与电子装置，因此减少大小和成本。在所描绘的实施例 中，衬底110包含在所描绘的实施例中由代表性空腔115指示的声学反射器，其形成在 声学堆叠105下方以提供声学隔离。声学堆叠105悬置在由空腔115形成的空气空间上 方以实现机械移动。在替代实施例中，衬底110可以不形成有空腔115，例如使用表面 安装谐振器(SMR)技术。举例来说，声学堆叠105可形成于在衬底110上或其中形成的 声学镜或布拉格反射器(未图示)上方。所述声学镜或布拉格反射器可具有交替的高与低 声学阻抗材料层。声学镜可根据各种技术加以制造，所述技术的实例描述于颁予拉尔森 三世(Larson,III)等人的第7,358,831号美国专利中，所述美国专利特此以引用的方式并 入。

声学堆叠105包含形成在第一复合电极120与第二复合电极140之间的压电层130。 所述第一复合电极120包含在空腔115上方依序堆叠在衬底110上的第一基电极层或第 一导电层122、内埋式第一温度补偿层124、和第二导电插入层或第二导电层126。所述 第一和第二导电层122和126由导电材料形成，例如与半导体工艺兼容的各种金属，例 如包含钨(W)、钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钌(Ru)、铌(Nb)或铪(Hf)。

在各种实施例中，第一导电层122与第二导电层126由不同导电材料形成，其中第 一导电层122由具有相对较低的传导性和相对较高的声学阻抗的材料形成，且第二导电 层126由具有相对较高的传导性和相对较低的声学阻抗的材料形成。举例来说，第一导 电层122可由W形成，且第二导电层126可由Mo形成，但在不脱离本发明教示的范围 的情况下可使用其它材料和/或材料组合。此外，在各种实施例中，第一导电层122与第 二导电层126可由相同导电材料形成而不脱离本发明教示的范围。

内埋式第一温度补偿层124形成于第一导电层122与第二导电层126之间。内埋式 第一温度补偿层124因此通过第二导电层126与压电层130分开或隔离，且通过第二导 电层126与第一导电层122之间的连接而另外密封于其中。因此，内埋式第一温度补偿 层124有效地内埋于第一复合电极120内。内埋式第一温度补偿层124可由与半导体工 艺兼容的具有正温度系数的各种材料形成，例如包含多晶硅、硼硅酸盐玻璃(BSG)、二 氧化硅(SiO₂)、铬(Cr)或碲氧化物(TeO_(x))。内埋式第一温度补偿层124的正温度系数补 偿声学堆叠105中的其它材料的负温度系数，包含压电层130、第二复合电极140、第 一复合电极120的第一导电层122和第二导电层126。

如图1的实施例中所示，内埋式第一温度补偿层124并不沿声学堆叠105的整个宽 度延伸。因此，形成于内埋式第一温度补偿层124的顶表面和侧表面上的第二导电层126 接触第一导电层122的顶表面，如例如由参考数字128和129所指示。因此，DC电连 接形成于第二导电层126与第一导电层122之间。通过与第一导电层122的DC电连接， 第二导电层126有效地使内埋式第一温度补偿层124的电容组件“短路”，因此增大声 学谐振器装置100的耦合系数(kt²)。另外，第二导电层126在内埋式第一温度补偿层124 与压电层130之间提供势垒，例如在内埋式第一温度补偿层124含有氧时防止氧扩散到 压电层130中。

而且，在所描绘实施例中，内埋式第一温度补偿层124具有锥形边缘124a，其增强 第二导电层126与第一导电层122之间的DC电连接。另外，锥形边缘124a增强第二导 电层126与第一导电层122之间的机械连接，此改进密封质量，例如防止内埋式第一温 度补偿层124中的氧扩散到压电层130中。在替代实施例中，内埋式第一温度补偿层124 的边缘并非锥形，而是可例如大体上垂直于内埋式第一温度补偿层124的顶表面与底表 面，而不脱离本发明教示的范围。

压电层130形成于第二导电层126的顶表面上。所述压电层130可由与半导体工艺 兼容的薄膜压电材料形成，例如氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)、铅锆钛酸盐(PZT)等。压电 层130的厚度范围可例如从约1000到约100,000但所述厚度可变化以针对任何特 定情形提供独特益处或满足各种实施方案的应用特定设计要求，如所属领域的一般技术 人员将显而易见的。在一实施例中，压电层130可形成于安置在第一复合电极120的上 表面上方的晶种层(未图示)上。举例来说，所述晶种层可由Al形成以促进AlN压电层 130的生长。所述晶种层可例如具有在约50到约5000的范围内的厚度。

第二复合电极140形成于压电层130的顶表面上。第二复合电极140包含依序堆叠 在压电层130上的第二导电插入层或第三导电层142、内埋式第二温度补偿层144、和 第二基电极层或第四导电层146。第三和第四导电层142和146由导电材料形成，例如 与半导体工艺兼容的各种金属，例如包含W、Mo、Al、Pt、Ru、Nb或Hf。在各种实施 例中，第三导电层142与第四导电层146由不同导电材料形成，其中第四导电层146是 由具有相对较低传导性和相对较高声学阻抗的材料形成，且第三导电层142是由具有相 对较高传导性和相对较低声学阻抗的材料形成。举例来说，第四导电层146可由W形 成，且第三导电层142可由Mo形成，但在不脱离本发明教示的范围的情况下可使用其 它材料和/或材料组合。此外，在各种实施例中，第三导电层142与第四导电层146可由 相同导电材料形成而不脱离本发明教示的范围。第三和第四导电层142和146可由与第 一复合电极120的第一和第二导电层122和126相同或不同的材料形成，而不脱离本发 明教示的范围。

内埋式第二温度补偿层144形成于第三导电层142与第四导电层146之间。内埋式 第二温度补偿层144因此通过第三导电层142与压电层130分开或隔离。因此，内埋式 第二温度补偿层144有效地内埋于第二复合电极140内，下文论述的暴露外缘除外。内 埋式第二温度补偿层144可由与半导体工艺兼容的具有正温度系数的各种材料形成，包 含多晶硅、BSG、SiO₂、Cr或TeO_(x)。内埋式第二温度补偿层144的正温度系数进一步 补偿声学堆叠105中的其它材料的负温度系数，包含压电层130、第一复合电极120， 以及第二复合电极140的第三和第四导电层142和146。

如图1的实施例中所示，第二复合电极140具有连接边缘141和非连接边缘143。 连接边缘141处于第二复合电极140的一侧上，所述侧经配置以电连接到电路(未图示) 以提供到和/或来自声学谐振器装置100的电信号。而且，第二复合电极140的朝向连接 边缘141延伸的一部分包含在气隙155上方的桥150。所述桥150形成于压电层130的 顶表面与第二复合电极140的底表面(更明确地说，第三导电层142的底表面)之间。声 学堆叠105包含由短划线指示的有源区域108。有源区域108终止于桥150的开始处和 第二复合电极140的非连接边缘143处。桥150有效地分开声学谐振器装置100的失效 谐振器区域与有源区域108。应注意，尽管桥150为声学谐振器装置100提供改进的性 能(参见例如上文提及的颁予克罗伊(Choy)等人的专利和专利申请案)，但桥150对于声 学谐振器装置100来说并非必需的，且本发明教示预期并不包含桥150的声学谐振器。

有源区域108内的声学堆叠105关于横轴109大体上对称，所述横轴109大体上沿 压电层130的厚度的中心穿过。值得注意的是，例如制造方法和接种的应用、成批装入 和/或钝化层(下文论述)等各种因素可能会在横轴109的任一侧上的结构中引起些微差 异，使得声学堆叠105可能并不关于横轴109精确地对称。但，一般来说，有源区域108 内的声学堆叠105比仅具有一个复合电极的谐振器装置要更为对称。由于对称性的改善， 与已知声学谐振器相比，第二泛音的负效应在根据本发明教示的声学谐振器(例如，声学 谐振器装置100)中得以减少或最小化。

举例来说，图2展示比较已知声学谐振器与根据代表性实施例的声学谐振器的频率 响应的曲线图。参看图2，横轴描绘以MHz计的频率，且竖轴描绘以欧姆计的阻抗。

轨迹210展示具有一个复合电极的声学谐振器的频率响应。轨迹210包含在约1500 MHz(对应于谐振频率)下的第一模式211和在约3500MHz下的第二泛音杂散模式212。 比较而言，轨迹220展示具有两个复合电极的声学谐振器(例如根据代表性实施例的声学 谐振器装置100)的频率响应。类似于轨迹210，轨迹220包含在约1500MHz(对应于谐 振频率)下的第一模式和在约3500MHz下的第二泛音杂散模式222。然而，第二泛音杂 散模式222已明显地受到抑制(最小化)。轨迹220还包含在约5600MHz下出现的较高 阶杂散模式223，其在轨迹210中看不到。然而，此频率完全处于所关注的频带外部， 且因此并不会不利地影响声学谐振器装置100的操作。

一般来说，声学堆叠105关于横轴109越精确地对称，就越能抑制第二泛音杂散模 式222，且最终，代表性实施例的声学谐振器装置100的性能就越好。

再次参考图1，形成于内埋式第二温度补偿层144的顶表面上的第四导电层146接 触第三导电层142的顶表面，例如由参考数字148所指示。因此，DC电连接形成于第 三导电层142与第四导电层146之间。通过与第三导电层142的DC电连接，第四导电 层146有效地使内埋式第二温度补偿层144的电容组件“短路”，因此进一步增大声学 谐振器装置100的耦合系数(kt²)。另外，第三导电层142在内埋式第二温度补偿层144 与压电层130之间提供势垒，例如在内埋式第二温度补偿层144含有氧时防止氧扩散到 压电层130中。在所描绘的实施例中，第四导电层146并不在第二复合电极140的非连 接边缘143处与第三导电层142连接。因此，内埋式第二温度补偿层144的边缘部分暴 露。

而且，在所描绘的实施例中，内埋式第二温度补偿层144具有锥形边缘144a，其增 强第三导电层142与第四导电层146之间的DC电连接。另外，所述锥形边缘144a增强 第四导电层146与第三导电层142之间的机械连接。在替代实施例中，内埋式第二温度 补偿层144的边缘不为锥形，而是可例如大体上垂直于内埋式第二温度补偿层144的顶 表面与底表面，而不脱离本发明教示的范围。

第二复合电极140可进一步包含在顶表面上的钝化层(未图示)，所述钝化层可由各 种类型的材料形成，包含AlN、碳化硅(SiC)、BSG、SiO₂、SiN、多晶硅及其类似物。 钝化层的厚度必须足以使声学堆叠105的所有层与环境绝缘，包含防止受湿气、腐蚀物、 污染物、碎片及其类似物影响。第一和第二复合电极120和140可经由接触衬垫(未图示) 电连接到外部电路，所述接触衬垫可由例如金、金-锡合金或其类似物等导电材料形成。

在一实施例中，第一复合电极120的总体第一厚度大体上与第二复合电极140的总 体第二厚度相同，如图1中所示。举例来说，第一和第二复合电极120和140中的每一 者的厚度范围可从约600到约30000但所述厚度可变化以针对任何特定情形提供 独特益处或满足各种实施方案的应用特定设计要求，如所属领域的一般技术人员将显而 易见的。

第一和第二复合电极120和140中的每一者的多个层还具有对应厚度。举例来说， 第一和第四导电层122和146的厚度范围可从约400到约29,900内埋式第一和第 二温度补偿层124和144的厚度范围可从约100到约5000且第二和第三导电层 126和142的厚度范围可从约100到约10000第一和第二复合电极120和140的 诸层中的每一者可变化以产生关于温度系数和耦合系数的不同特征，而第一和第二复合 电极120和140的总体厚度保持大体上相同。举例来说，内埋式第一和第二温度补偿层 124和144的厚度可变化以影响声学堆叠105的总体温度系数，且第一到第四导电层122、 126、142和146的相对厚度可变化以影响声学谐振器装置100的总体耦合系数。

举例来说，第一到第四导电层122、126、142和146的厚度可变化以便使相应内埋 式第一和第二温度补偿层124和144“沉降”到对应第一和第二复合电极120和140中 更深(即，进一步移动远离压电层130)。也就是说，虽然第一和第二复合电极120和140 的总体厚度保持大体上相同，但第二和第三导电层126和142(导电插入层)的厚度可增 大，且第一和第四导电层122和146(基电极插入层)的厚度可减小，使得内埋式第一和 第二温度补偿层124和144分别在第一和第二复合电极120和140内埋得更深。而且， 内埋式第一和第二温度补偿层124和144的厚度可被设定为较厚(由于它们埋得更深)以 帮助维持或最小化线性温度系数。举例来说，将内埋式第一和第二温度补偿层124和144 埋得更深会致使声学谐振器装置100的耦合系数将相对较大(其代价为使温度系数变 糟)，而使内埋式第一和第二温度补偿层124和144变厚则改善温度系数。

一般来说，在第一和第二复合电极120和140内部的内埋式第一和第二温度补偿层 124和144中的每一者的厚度和位置应加以优化，以便针对容许的线性温度系数最大化 耦合系数。可例如通过以下操作来实现此优化：使用梅森(Mason)模型对声学堆叠105 的等效电路模型化并调整内埋式第一和第二温度补偿层124和144；以及添加更多材料 到第二和第三导电层126和142并从第一和第四导电层122和146移除材料，使得第一 和第二复合电极120和140的总体厚度保持恒定，如所属领域的一般技术人员将显而易 见的。可例如使用多变量优化技术(例如单纯形法)来根据温度系数与耦合系数之间的权 衡形成算法以优化内埋式第一和第二温度补偿层124和144的深度，如所属领域的一般 技术人员将显而易见的。另外，内埋式第一和第二温度补偿层124和144的深度可受到 例如最小必需耦合系数和最大容许温度系数等各种约束限制，同样，内埋式第一和第二 温度补偿层124和144的厚度可经调整以提供声学谐振器装置100的最优耦合系数和最 小总体温度系数。

根据各种实施例，可使用与半导体工艺兼容的各种技术来制造谐振器装置。下文参 考图3A到3G论述根据代表性实施例的针对代表性声学谐振器装置100的制造工艺的 非限制性实例，图3A到3G为BAW谐振器装置在所述制造工艺的各种阶段中的横截面 图。

图3A展示界定空腔115的衬底110，且第一导电层122施加到衬底110的顶表面。 在所描绘实施例中，空腔115形成于衬底110中且最初填充有例如磷硅酸盐玻璃(PSG) 或多晶硅等牺牲材料117，所述牺牲材料117稍后在制造工艺中(例如，在施加声学堆叠 105的层之后)使用合适的蚀刻剂加以释离，如所属领域的一般技术人员将显而易见的。 在替代配置中，空腔115可穿过衬底110以形成背侧开口，所述背侧开口可通过对衬底 110的底表面进行背侧蚀刻而形成。背侧蚀刻可包含例如波希(Bosch)工艺等干式蚀刻工 艺，但可并入各种替代技术。可通过多种已知方法形成所述空腔，所述方法的实例描述 于颁予鲁宾(Ruby)等人的第6,384,697号美国专利中，所述美国专利特此以引用的方式并 入。

或者，替代空腔115，例如声学镜或布拉格反射器等声学隔离器可包含在衬底110 的顶表面中或形成于其上。可使用与半导体工艺兼容的任何技术在形成声学堆叠105之 前形成此类声学隔离器，如所属领域的一般技术人员将显而易见的。制造用于谐振器装 置的声学镜的实例描述于颁予巴博(Barber)等人的第2011/0121916号美国专利申请公开 案中，所述美国专利申请公开案特此以引用的方式并入。

在一实施例中，举例来说，衬底110由Si形成，且第一导电层122由W形成，但 如上文所论述，可使用不同材料，而不脱离本发明教示的范围。可例如使用旋涂、溅镀、 蒸镀、物理气相沉积(PVD)或化学气相沉积(CVD)技术来施加第一导电层122，但可并入 其它施加方法。

参考图3B，在第一导电层122的顶表面上形成内埋式第一温度补偿层124。在一实 施例中，所述内埋式第一温度补偿层124是例如由多晶硅形成，但如上文所论述，可使 用不同材料，而不脱离本发明教示的范围。可例如使用旋涂、溅镀、蒸镀、PVD或CVD 技术来施加内埋式第一温度补偿层124，但可并入其它施加方法。用于形成温度补偿层 的各种说明性技术例如描述于颁予拉尔森三世(Larson,III)等人的第7,561,009号美国专 利中，所述美国专利特此以引用的方式并入。

接着将掩模图案(未图示)施加到内埋式第一温度补偿层124，接着将其蚀刻到如图 3B中所描绘的所需大小。此包含形成上文所论述的锥形边缘124a。举例来说，可将光 致抗蚀剂层(未图示)施加到内埋式第一温度补偿层124的顶表面，且使用与半导体工艺 兼容的任何光致抗蚀剂图案化技术加以图案化以形成掩模或光致抗蚀剂图案，如所属领 域的一般技术人员将显而易见的。可通过机械加工或使用光刻来对光致抗蚀剂层进行化 学蚀刻来形成光致抗蚀剂图案，但可并入各种替代技术。在蚀刻内埋式第一温度补偿层 124之后，例如通过以化学方式释离或使用包含HF蚀刻溶液的湿式蚀刻工艺进行蚀刻 来移除所述光致抗蚀剂图案，但可通过各种其它技术移除所述光致抗蚀剂图案而不脱离 本发明教示的范围。

在各种实施例中，为获得锥形边缘124a，将氧泄漏到用以蚀刻内埋式第一温度补偿 层124的蚀刻机中。氧化物(和/或温度夹盘)致使光致抗蚀剂在经图案化光致抗蚀剂的边 缘处更快速地腐蚀且稍微向后拉动。抗蚀剂的此“薄化”形成楔形轮廓，所述楔形轮廓 接着在光致抗蚀剂离开时压印到下面的氧化物中。一般来说，通过调整抗蚀剂相对于被 蚀刻材料的蚀刻速率来产生楔形，如所属领域的一般技术人员将显而易见的。同时，在 距内埋式第一温度补偿层124的边缘较远处，在整个蚀刻过程中存在足够的光致抗蚀剂 覆盖度，以使得不触碰到下伏氧化物材料。当然，可并入获得锥形边缘的其它方法而不 脱离本发明教示的范围。

将第二导电层126施加到内埋式第一温度补偿层124的顶表面，如图3C中所示。 第二导电层126是例如由Mo形成，但如上文所论述，可使用不同材料，而不脱离本发 明教示的范围。可例如使用旋涂、溅镀、蒸镀、PVD或CVD技术来施加第二导电层126， 但可并入其它施加方法。接着将掩模图案(未图示)施加到所述结构，接着对其进行蚀刻 以移除第一和第二导电层122和126在左侧上的部分以形成所需形状和大小，如图3C 中所描绘。接着移除所述掩模。如上文所论述，可并入与半导体工艺兼容的任何掩蔽和 蚀刻技术，如所属领域的一般技术人员将显而易见的。

在替代实施例中，在蚀刻内埋式第一温度补偿层124之前在内埋式第一温度补偿层 124的顶表面上形成临时晶种层(未图示)。所述临时晶种层可由与压电层130相同的压 电材料形成，例如AlN。所述临时晶种层可形成为例如约300的厚度，且减少或最小 化从内埋式第一温度补偿层124到压电层130中的氧化物扩散。通过蚀刻移除所述临时 晶种层的外部部分连同内埋式第一温度补偿层124的经蚀刻部分，以暴露第一导电层122 顶表面的部分，使得第一导电层122能够在与第二导电层126之间形成电连接。换句话 说，在蚀刻之后，所述临时晶种层仅覆盖内埋式第一温度补偿层124的顶表面，使得其 定位在内埋式第一温度补偿层124与第二导电层126之间。

参考图3D，在第二导电层126的顶表面上形成压电层130，所述顶表面也是第一复 合电极120的顶表面。所述压电层130例如由AlN形成，但如上文所论述，可使用不同 材料，而不脱离本发明教示的范围。可使用例如溅镀技术来施加压电层130，但可并入 其它施加方法。举例来说，可根据与半导体工艺兼容的各种技术从晶种层生长压电层 130，如上文所论述。

在压电层130的顶表面上形成第二复合电极140，如下文所描述。然而，如上文所 提及，所述第二复合电极的一部分形成桥150，其终止有源区域108的边缘。为了形成 桥150，在压电层130的顶表面上形成牺牲材料157的桥层152，如图3E中所示。所述 牺牲材料157可例如为PSG、多晶硅或溅镀非晶硅，其稍后在制造工艺中使用合适的蚀 刻剂加以释离，如所属领域的一般技术人员将显而易见的。接着将掩模图案(未图示)施 加到桥层152，接着将其蚀刻到所需大小。举例来说，可将光致抗蚀剂层(未图示)施加 到压电层130的顶表面，且使用与半导体工艺兼容的任何光致抗蚀剂图案化技术对其进 行图案化以形成掩模或光致抗蚀剂图案，如所属领域的一般技术人员将显而易见的。在 蚀刻桥层152之后，例如通过化学释离或使用湿式蚀刻工艺进行蚀刻而移除所述光致抗 蚀剂图案，但可通过各种其它技术移除所述光致抗蚀剂图案而不脱离本发明教示的范 围。

参考图3F，通过首先在压电层130和桥层152的顶表面上形成第三导电层142而形 成第二复合电极140。第三导电层142是例如由Mo形成，但如上文所论述，可使用不 同材料，而不脱离本发明教示的范围。可例如使用旋涂、溅镀、蒸镀、PVD或CVD技 术来施加第三导电层142，但可并入其它施加方法。接着将掩模图案(未图示)施加到第 三导电层142，接着对其进行蚀刻以形成所需形状，如图3G中所描绘。接着移除所述 掩模。如上文所论述，可并入与半导体工艺兼容的任何掩蔽和蚀刻技术，如所属领域的 一般技术人员将显而易见的。

再次参考图3G，以与上文关于内埋式第一温度补偿层124和第二导电层126所论 述的大体上相同的方式形成内埋式第二温度补偿层144和第四导电层146。举例来说， 第四导电层146由W形成，且内埋式第二温度补偿层144由多晶硅形成，但如上文所 论述，可使用不同材料，而不脱离本发明教示的范围。而且，可蚀刻内埋式第二温度补 偿层144以包含锥形边缘144a，如上文关于内埋式第一温度补偿层124的锥形边缘124a 所论述。值得注意的是，因为内埋式第二温度补偿层144处于压电层130顶部上(与内埋 于第一复合电极120中相反)，因此可执行协调的离子铣削以便同时微调第二复合电极 140和声学堆叠105的频率。

在施加第三和第四导电层142和146以及内埋式第二温度补偿层144之后，执行垂 直蚀刻以形成第二复合电极140的边缘(例如，非连接边缘143)，所述边缘还终止有源 区域108的边缘(与由桥150终止的有源区域108的边缘相对)。举例来说，可将光致抗 蚀剂层(未图示)施加至第四导电层146的顶表面，且使用与半导体工艺兼容的任何光致 抗蚀剂图案化技术加以图案化以形成掩模或光致抗蚀剂图案，如所属领域的一般技术人 员将显而易见的。可通过机械加工或使用光刻来对光致抗蚀剂层进行化学蚀刻来形成光 致抗蚀剂图案，但可并入各种替代技术。在蚀刻第三和第四导电层142和146以及内埋 式第二温度补偿层144之后，例如通过化学释离或使用湿式蚀刻工艺进行蚀刻来移除所 述光致抗蚀剂图案，但可通过各种其它技术移除所述光致抗蚀剂图案而不脱离本发明教 示的范围。在各种实施例中，第二复合电极140可进一步包含由BSG、SiO₂、SiN、多 晶硅等形成的钝化层(未图示)。

还如图3G中所示，释离空腔115中的牺牲材料117和桥层152的牺牲材料157以 分别形成空腔115和桥150(在气隙155上方)。举例来说，当牺牲材料117为多晶硅且 牺牲材料157为多晶硅或溅镀非晶硅时，它们各自可使用二氟代氙(XeF₂)在无水释离工 艺中释离。用于形成桥的各种说明性技术例如描述于上文提及的颁予克罗伊(Choy)等人 的所引用的美国专利和公开的专利申请案中，以及以下各案中：颁予达瑞兹·布拉克 (Dariusz Burak)的第20120218056号美国专利申请公开案；颁予达瑞兹·布拉克(Dariusz  Burak)等人的第20120218055号美国专利申请公开案；颁予克里斯·冯(Chris Feng)等人的 第20120161902号美国专利申请公开案；颁予达瑞兹·布拉克(Dariusz Burak)等人的第 20120218059号美国专利申请公开案；颁予达瑞兹·布拉克(Dariusz Burak)等人的第 20120218058号美国专利申请公开案；颁予达瑞兹·布拉克(Dariusz Burak)等人的第 20120218060号美国专利申请案；以及颁予亚历山大·谢拉卡瓦(Alexandre Shirakawa)等人 的第13/168,101号美国专利申请案。上文所列的美国专利申请案和美国专利申请公开案 的全部揭示内容特定地以引用的方式并入。

在各种实施例中，声学谐振器装置100可制造为晶片的部分。因此，在完成之后， 可从所述晶片切割或分离声学谐振器装置100达必要的程度，以便形成单一化的裸片， 例如图1和3G中所示。可使用与半导体制造工艺兼容的各种技术来分离声学谐振器装 置100，例如刻划和折断。

图4是根据另一代表性实施例的BAW谐振器装置(且更明确地说，在所描绘的说明 性配置中的FBAR)的横截面图，所述BAW谐振器装置包含具有内埋式温度补偿层的复 合电极。

参考图4，说明性声学谐振器装置400包含形成于衬底110上的声学堆叠405。声 学堆叠405包含形成于第一复合电极120与第二复合电极440之间的压电层130。一般 来说，第二复合电极440的结构不同于图1中的第二复合电极140的结构。图1与4中 的相同参考数字指代相同元件，且因此将不重复对相同元件的对应描述。

在所描绘实施例中，声学堆叠405包含形成于第一复合电极120与第二复合电极440 之间的压电层130。在所描绘实施例中，衬底110包含在所描绘实施例中由代表性空腔 115指示的声学反射器，其形成于声学堆叠405下方以提供声学隔离。声学堆叠405悬 置在由空腔115形成的空气空间上方以实现机械移动。在替代实施例中，衬底110可以 不形成有空腔115，例如使用SMR技术。举例来说，声学堆叠405可形成于在衬底110 上或其中形成的声学镜或布拉格反射器(未图示)上方，如上文所论述。

第一复合电极120包含依序堆叠在衬底110上的第一基电极层或第一导电层122、 内埋式第一温度补偿层124，以及第二导电插入层或第二导电层126。所述第一和第二 导电层122和126由导电材料形成，例如与半导体工艺兼容的各种金属，例如包含W、 Mo、Al、Pt、Ru、Nb或Hf。内埋式第一温度补偿层124可由与半导体工艺兼容的具有 正温度系数的各种材料形成，例如包含多晶硅、BSG、SiO₂、Cr或TeO_(x)。压电层130 形成于第二导电层126的顶表面上，且可由与半导体工艺兼容的薄膜压电材料形成，例 如AlN、ZnO、PZT等。如上文所论述，第二导电层126接触第一导电层122的顶表面， 如例如由参考数字128和129所指示，从而形成DC电连接且由此使内埋式第一温度补 偿层124的电容组件短路，且增大声学谐振器装置400的耦合系数(kt²)。

第二复合电极440形成于压电层130的顶表面上。第二复合电极440包含依序堆叠 在压电层130上的第二导电插入层或第三导电层442、内埋式第二温度补偿层444，以 及第二基电极层或第四导电层446。第三导电层442和第四导电层446由导电材料形成， 例如与半导体工艺兼容的各种金属，例如包含W、Mo、Al、Pt、Ru、Nb或Hf。在各种 实施例中，第三导电层442与第四导电层446由不同导电材料形成，其中第四导电层446 由具有相对较低传导性和相对较高声学阻抗的材料形成，且第三导电层442由具有相对 较高传导性和相对较低声学阻抗的材料形成。举例来说，第四导电层446可由W形成， 且第三导电层442可由Mo形成，但在不脱离本发明教示的范围的情况下可使用其它材 料和/或材料组合。此外，在各种实施例中，第三导电层442与第四导电层446可由相同 导电材料形成而不脱离本发明教示的范围。第三和第四导电层442和446可由与第一复 合电极的第一和第二导电层122和126相同或不同的材料形成，而不脱离本发明教示的 范围。

内埋式第二温度补偿层444形成于第三导电层442与第四导电层446之间。内埋式 第二温度补偿层444因此通过第三导电层442与压电层130分开或隔离。因此，内埋式 第二温度补偿层444有效地内埋于第二复合电极440内，包含两个边缘，如下文所论述。 内埋式第二温度补偿层444可由与半导体工艺兼容的具有正温度系数的各种材料形成， 例如包含多晶硅、BSG、SiO₂、Cr或TeO_(x)。内埋式第二温度补偿层444的正温度系数 进一步补偿声学堆叠405中的其它材料的负温度系数，包含压电层130、第一复合电极 120以及第二复合电极440的第三和第四导电层442和446。

如图4的实施例中所示，第二复合电极440具有连接边缘441和非连接边缘443。 连接边缘441处于第二复合电极440的一侧上，所述侧经配置以电连接到电路(未图示) 以提供到和/或来自声学谐振器装置400的电信号。而且，第二复合电极440的朝向连接 边缘441延伸的一部分包含在气隙455上方的桥450。桥450形成于压电层130的顶表 面与第二复合电极440的底表面(更明确地说，第三导电层442的底表面)之间。类似地， 第二复合电极440的朝向非连接边缘443延伸的另一部分包含在气隙465上方的悬臂 460。悬臂460也形成于压电层130的顶表面与第二复合电极440的底表面(更明确地说， 第三导电层442的底表面)之间。值得注意的是，与由桥450形成的气隙455不同，气隙 465为端部开放的，使得第二复合电极440的朝向非连接边缘443延伸的所述部分不连 接(即，悬架)到压电层130的末端部分。

应注意，尽管桥450和悬臂460各自为声学谐振器装置400提供改进的性能(参见例 如上文提及的颁予克罗伊(Choy)等人的专利和专利申请案)，但桥450和悬臂460对于声 学谐振器装置400来说并非必需的，且本发明教示预期不包含桥150或悬臂460或两者 的声学谐振器。

声学堆叠405包含由短划线指示的有源区域408。有源区域408在桥450的开始处 且在第二复合电极440的悬臂460的开始处终止。桥450和悬臂460有效地将声学谐振 器装置400的失效的谐振器区域与有源区域408分开。有源区域408内的声学堆叠405 关于横轴409大体上对称，如上文关于图1中的有源区域108所论述。横轴409大体上 沿压电层130的厚度的中心穿过。值得注意的是，例如制造工艺和接种的应用、成批装 入和/或钝化层等各种因素可能会在横轴409的任一侧上的结构中引起些微差异，使得声 学堆叠405可能并不关于横轴409精确地对称。但，一般来说，有源区域408内的声学 堆叠405比仅具有一个复合电极的谐振器装置要更为对称。由于对称性的改善，第二泛 音和较高阶杂散模式的负效应得以最小化。

形成于内埋式第二温度补偿层444的顶表面上的第四导电层446接触第三导电层 442的顶表面，例如由参考数字448和449所指示。因此，DC电连接形成于第三导电层 442与第四导电层446之间，从而有效地使内埋式第二温度补偿层444的电容组件“短 路”，因此进一步增大声学谐振器装置400的耦合系数(kt²)。另外，第三导电层442在 内埋式第二温度补偿层444与压电层130之间提供势垒。

在所描绘实施例中，内埋式第二温度补偿层444具有锥形边缘444a，其增强第三导 电层442与第四导电层446之间的DC电连接和机械连接。在替代实施例中，内埋式第 二温度补偿层444的边缘并非锥形的，而是可例如大体上垂直于内埋式第二温度补偿层 444的顶表面和底表面，而不脱离本发明教示的范围。

第二复合电极440可进一步包含在顶表面上的钝化层(未图示)，所述钝化层可由各 种类型的材料形成，包含AlN、SiC、BSG、SiO2、SiN、多晶硅及其类似物。钝化层的 厚度必须足以将声学堆叠405的所有层与环境绝缘，包含防止受湿气、腐蚀物、污染物、 碎片及其类似物影响。第一和第二复合电极120和440可经由接触衬垫(未图示)电连接 到外部电路，所述接触衬垫可由例如金、金-锡合金等导电材料形成。

在一实施例中，第一复合电极120的总体第一厚度大体上与第二复合电极440的总 体第二厚度相同，如图4中所示。而且，第一到第四导电层122、126、442和446的厚 度以及内埋式第一和第二温度补偿层124和444的厚度可相对于彼此变化，以便优化声 学谐振器装置400的耦合系数和总体温度系数，如上文参考声学谐振器装置100所论述。 同样，上文所论述的说明性厚度还可适用于声学谐振器装置400以针对任何特定情形提 供独特益处或满足各种实施方案的应用特定设计要求，如所属领域的一般技术人员将显 而易见的。

根据各种实施例，可使用与半导体工艺兼容的各种技术来制造谐振器装置。下文参 考图5A到5E论述根据代表性实施例的针对代表性声学谐振器装置400的制造工艺的非 限制性实例，图5A到5E是BAW谐振器装置在制造工艺的各种阶段中的横截面图。

图5A与上文所论述的图3D大体上相同。因此，应理解，产生图5A中所示结构的 制造工艺步骤与上文参考图3A到3D所论述的实上相同，且因此将不重复此描述。参 考图5A，衬底110包含空腔115，所述空腔115最初已填充有牺牲材料117，例如PSG 或多晶硅，所述牺牲材料117稍后在制造工艺中(例如在施加声学堆叠405的层之后)使 用合适的蚀刻剂加以释离，如所属领域的一般技术人员将显而易见的。第一复合电极120 已经形成，其包含在空腔115上方依序堆叠在衬底110上的第一导电层122、内埋式第 一温度补偿层124和第二导电层126。压电层130已形成于第一复合电极120的顶表面(和 衬底110的一部分)上。

参考图5B，第二复合电极440的一部分形成桥450和悬臂460，所述悬臂460终止 有源区域408的边缘，如上文所提及。为了形成桥450和悬臂460，在压电层130的顶 表面上形成牺牲材料457的牺牲层(未图示)。牺牲材料457可例如为PSG、多晶硅或溅 镀非晶硅，其稍后在制造工艺中使用合适的蚀刻剂加以释离，如所属领域的一般技术人 员将显而易见的。接着将掩模图案(未图示)施加到牺牲材料457，接着将其蚀刻到所需 大小，从而形成桥层452和悬臂层462。举例来说，可将光致抗蚀剂层(未图示)施加到 压电层130的顶表面，且使用与半导体工艺兼容的任何光致抗蚀剂图案化技术对其进行 图案化以形成掩模或光致抗蚀剂图案，如所属领域的一般技术人员将显而易见的。在蚀 刻牺牲材料457之后，例如通过以化学方式释离或使用包含HF蚀刻溶液的湿式蚀刻工 艺进行蚀刻来移除所述光致抗蚀剂图案，但可通过各种其它技术移除所述光致抗蚀剂图 案而不脱离本发明教示的范围。

参考图5C，通过首先在压电层130和桥层452以及悬臂层462的顶表面上形成第 三导电层442而形成第二复合电极440。第三导电层442是例如由Mo形成，但如上所 述，可使用不同材料，而不脱离本发明教示的范围。可例如使用旋涂、溅镀、蒸镀、PVD 或CVD技术来施加第三导电层442，但可并入其它施加方法。

再次参考图5D，以与上文关于内埋式第一温度补偿层124所论述的大体上相同的 方式形成内埋式第二温度补偿层444。内埋式第二温度补偿层444例如由多晶硅形成， 但可使用不同材料而不脱离本发明教示的范围。而且，可蚀刻内埋式第二温度补偿层444 以包含锥形边缘444a，如上文关于内埋式第一温度补偿层124的锥形边缘124a所论述。 将掩模图案(未图示)施加到内埋式第二温度补偿层444，接着对其进行蚀刻以形成所需 形状，如图5D中所描绘。接着移除所述掩模。如上文所论述，可并入与半导体工艺兼 容的任何掩蔽和蚀刻技术，如所属领域的一般技术人员将显而易见的。

参考图5E，在内埋式第二温度补偿层444的顶表面上形成第四导电层446。第四导 电层446是例如由W形成，但如上所述，可使用不同材料，而不脱离本发明教示的范 围。可例如使用旋涂、溅镀、蒸镀、PVD或CVD技术来施加第四导电层446，但可并 入其它施加方法。在施加第三和第四导电层442和446以及内埋式第二温度补偿层444 之后，执行垂直蚀刻以形成第二复合电极440的边缘(例如，非连接边缘143)。与图3G 中描绘的实施例不同，举例来说，图5E中的垂直蚀刻并不终止有源区域408的边缘。 而是，悬臂460的开始终止有源区域408的边缘，所述边缘与由桥450终止的有源区域 408的边缘相对。举例来说，可将光致抗蚀剂层(未图示)施加到第四导电层446的顶表 面，且使用与半导体工艺兼容的任何光致抗蚀剂图案化技术加以图案化以形成掩模或光 致抗蚀剂图案，如所属领域的一般技术人员将显而易见的。可通过机械加工或使用光刻 对光致抗蚀剂层进行化学蚀刻来形成光致抗蚀剂图案，但可并入各种替代技术。在蚀刻 第三和第四导电层442和446以及内埋式第二温度补偿层444之后，例如通过以化学方 式释离或使用已知湿式蚀刻工艺进行蚀刻来移除所述光致抗蚀剂图案，但可通过各种其 它技术移除所述光致抗蚀剂图案而不脱离本发明教示的范围。在各种实施例中，第二复 合电极440可进一步包含由BSG、SiO2、SiN、多晶硅等形成的钝化层(未图示)。

还如图5E中所示，空腔115中的牺牲材料117经释离以形成空腔115，且桥层452 和悬臂层462的牺牲材料457经释离以分别形成桥450(在气隙455上方)和悬臂460(在 气隙465上方)。举例来说，当牺牲材料117为多晶硅或非晶硅且牺牲材料457为溅镀非 晶硅时，它们各自可在无水释离工艺中使用XeF₂释离。或者，牺牲材料457和117可 为PSG，在此情况下，其可在湿式释离工艺中使用HF释离。

在各种实施例中，声学谐振器装置400可制造为晶片的部分。因此，在完成之后， 可从所述晶片切割或分离声学谐振器装置400达必要的程度，以便形成单一化的裸片， 例如图4和5E中所示。可使用与半导体制造工艺兼容的各种技术来分离声学谐振器装 置400，例如刻划和折断。

根据各种实施例，谐振器装置的声学堆叠具有至少一个复合电极，其包含通过导电 插入层与压电层分离的内埋式温度补偿层。所述温度补偿层的温度系数具有与所述声学 堆叠中的至少一个其它元件的温度系数相反的正负号，因此补偿了温度系数的效应。此 外，所述导电插入层有效地使温度补偿层的电容组件短路，此有效地增大谐振器装置的 耦合系数。因此，此例如通过防止通带因温度增大而移位同时防止压电材料被温度补偿 层中的材料污染而实现谐振器的更稳定操作。

各种组件、材料、结构和参数仅作为说明和实例而包含在内，且不具有任何限制性 意义。鉴于本发明，所属领域的技术人员可在确定其自身的应用和实施这些应用所需要 的组件、材料、结构和设备时实施本发明的教示，同时保持在所附权利要求书的范围内。