一种具有超结埋层的横向扩散金属氧化物半导体器件

摘要

本发明涉及半导体器件技术，具体的说是涉及一种具有超结埋层的横向扩散金属氧化物半导体器件。本发明的一种具有超结埋层的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，在漂移区2中设有超结层，所述超结层由交替分布的N型高掺杂区13和P型高掺杂区12组成。本发明的有益效果为，降低了器件的导通电阻，抑制了衬底辅助耗尽效应，提高了器件的耐压，同时，还能兼容现有的CMOS工艺，易于与智能功率电路集成，降低了器件的制作难度和成本。本发明尤其适用于横向扩散金属氧化物半导体器件。