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公开/公告号CN103299427A
专利类型发明专利
公开/公告日2013-09-11
原文格式PDF
申请/专利权人 英特尔公司;
申请/专利号CN201180063345.6
发明设计人 N·慕克吉;G·杜威;M·拉多萨夫列维奇;R·S·周;M·V·梅茨;
申请日2011-12-20
分类号H01L29/78;H01L21/336;
代理机构永新专利商标代理有限公司;
代理人陈松涛
地址 美国加利福尼亚
入库时间 2024-02-19 21:31:47
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-03-16
授权
2013-10-16
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/78 申请日:20111220
实质审查的生效
2013-09-11
公开
机译: 在源极和漏极中使用III-V半导体中间层,降低N沟道晶体管接触电阻的方法
机译: 通过在源极和漏极中使用III-V半导体中间层来降低N沟道晶体管的接触电阻的方法
机译: 利用源极和漏极中的III-V半导体层降低N沟道晶体管接触电阻的方法
机译:源极/漏极寄生电阻对超薄III-V沟道金属氧化物半导体场效应晶体管器件性能的影响
机译:通过分子碳离子注入和激光退火形成的碳掺杂源极/漏极增强n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管性能的分析方法
机译:高性能升高的源极/漏极lnAs / ln _(。053)Ga_(0.47)As沟道金属氧化物半导体场效应晶体管,使用垂直间隔器可减少泄漏
机译:具有升高的源极-漏极的凹陷的沟道阵列晶体管DRAM中的漏极泄漏波动减小
机译:用于深亚微米技术的非升高和升高的源极/漏极p沟道MOSFET的设计,制造和表征
机译:凸源/漏极(RSD)和垂直掺杂漏极(LDD)多Si薄膜晶体管
机译:源极/漏极寄生电阻对超薄体III-V沟道金属氧化物半导体场效应晶体管器件性能的影响
机译:使用阴影沉积技术制备和表征具有50个非均源漏极分子的分子晶体管:朝着更快,更灵敏的分子为基础的器件