使用含碳硅和锗化硅外延源/漏极的高性能应力增强金属氧化物半导体场效应晶体管及制造方法

摘要

一种半导体器件和制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括pFET和nFET的沟道。在pFET沟道的源极和漏极区中选择性地生长SiGe层，且在nFET沟道的源极和漏极区中选择性地生长Si:C层。SiGe和Si:C层匹配下面的Si层的晶格网络以产生应力分量。在一个实施例中，这导致在pFET沟道中的压应力分量和在nFET沟道中的拉应力分量。