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晶圆级电子封装器件焊点初始破坏恶化的评估方法

摘要

本发明属于材料科学技术领域,具体涉及一种晶圆级电子封装器件焊点进一步破坏可能性的评估方法。本发明基于焊点已经产生了初始破坏的基础上,对破坏进一步恶化的可能性的预测,其步骤为:获取电子封装器件各个组成部分的性能材料参数,确定焊点的本构模型;根据所预测电子封装器件的结构建立二维有限元模型,并根据实际的服役条件添加边界条件和相应的载荷,进行有限元数值仿真;焊点的可靠性分析及预测,焊点初始破坏尖端为塑性应变区域采用J积分的数值处理方法。本发明方法简单,精度高,不需要进行大量真实的实验,可节约成本,提高生产效率。

著录项

  • 公开/公告号CN103412977A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-11-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 复旦大学;

    申请/专利号CN201310293470.7

  • 发明设计人 卢景红;张浩;卢红亮;徐敏;

    申请日2013-07-12

  • 分类号G06F17/50;

  • 代理机构上海正旦专利代理有限公司;

  • 代理人陆飞

  • 地址 200433 上海市杨浦区邯郸路220号

  • 入库时间 2024-02-19 21:01:19

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-10-19

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G06F17/50 申请公布日:20131127 申请日:20130712

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2014-01-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20130712

    实质审查的生效

  • 2013-11-27

    公开

    公开

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