首页> 中国专利> 通过基底和外延层图案化限制在III-氮化物异质结构中的应变松弛

通过基底和外延层图案化限制在III-氮化物异质结构中的应变松弛

摘要

制造半极性III-氮化物装置的基底的方法,包括图案化半极性III-氮化物基底或外延层的表面并在其上形成一个或多个台面,由此形成包括各台面的半极性III-氮化物基底或外延层的图案表面,各台面沿着穿透位错滑移的方向具有尺寸l,其中穿透位错滑移由基底或外延层的非图案表面上异质外延地和共格地沉积的III-氮化物层产生。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-08-26

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01S5/00 申请公布日:20130703 申请日:20111026

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2013-11-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01S5/00 申请日:20111026

    实质审查的生效

  • 2013-07-03

    公开

    公开

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