气敏型场效应晶体管装置和气敏型场效应晶体管装置阵列

摘要

本申请提供了气敏型场效应晶体管装置、气敏型场效应晶体管装置阵列及其制备方法。气敏型场效应晶体管装置可包括栅极、位于栅极上且具有一个或多个通孔的钝化层、浮置电极、感应材料层以及控制部件，其中浮置电极与栅极电学连接，并设置在钝化层中且浮置电极的至少一部分通过通孔暴露，感应材料层直接位于浮置电极的至少一部分上，控制部件被配置为控制浮置电极控制部件的工作点。根据本申请提供的气敏型场效应晶体管装置阵列能够控制工作点，并具有动态亚阈值电流读出能力，从而能够显著降低阵列的功耗，并能够提高室温下的灵敏度。