首页> 中国专利> 一种增强硅基铒掺杂ZnO薄膜电致发光的器件及制备方法

一种增强硅基铒掺杂ZnO薄膜电致发光的器件及制备方法

摘要

本发明公开了一种增强硅基铒掺杂ZnO薄膜电致发光的器件及制备方法,属于硅基光电子技术领域。所述器件,包括硅衬底,硅衬底正面依次设有发光层、透明电极层,硅衬底背面设有欧姆接触电极,所述硅衬底表面具有氧化硅层,所述发光层为锆、铒共掺杂的ZnO薄膜。本发明在带有~10nm SiO

著录项

  • 公开/公告号CN110444644A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-11-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 浙江大学;

    申请/专利号CN201910683206.1

  • 发明设计人 马向阳;陈金鑫;杨德仁;

    申请日2019-07-26

  • 分类号

  • 代理机构杭州天勤知识产权代理有限公司;

  • 代理人韩聪

  • 地址 310013浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

  • 入库时间 2024-02-19 15:48:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-12-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/28 申请日:20190726

    实质审查的生效

  • 2019-11-12

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号