基于场效应的上下非对称光电导型光电检测器结构

摘要

本发明公开了基于场效应的上下非对称光电导型光电检测器结构。绝缘层衬底上表面依次涂覆有绝缘层和氮化硼半导体层，绝缘层内部包裹有位于绝缘层衬底上表面的金属电极，氮化硼半导体层上表面两侧分别设有正栅电极和负栅电极。光信号通过两个栅电极产生电流，金属电极通过产生的附加电场推动电子以更快的速度从负电极移向正电极，并且不产生更多的电流；通过金属电极上的扫描电压，使氮化硼半导体层电子迁移速度达到最大，从而可以通过测量氮化硼半导体层上方两个电极之间的电流大小，感知光强变化。本发明在不增加电流大小的情况下，通过绝缘层下的栅电极，产生需要的附加电场，提高载流子迁移速度，从而实现响应速度的提高，而响应幅度保持不变。