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基于TFT的具有高亮度的透明量子点的像素点电路及其制备方法

摘要

本发明涉及一种基于TFT的具有高亮度的透明量子点的像素点电路及其制备方法,每个像素点电路包括一个选址TFT、一个驱动TFT、一个存储电容和量子点发光结构;所述的TFT和量子点发光结构是基于透明金属氧化物制作;所述的TFT包括电极、有源层、保护层和栅氧层;所述的有源层为ZnO薄膜。本发明的像素点电路可组成像素点电路阵列,可用于制造一种透明TFT量子点显示屏,该像素点电路阵列可以有50行50列共2500个像素点电路。本发明的透明TFT量子点显示屏成本较低,制备简易,具有优秀的电气性能,相比传统OLED显示屏具有更好的亮度和色彩对比度。

著录项

  • 公开/公告号CN110212103A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-09-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 浙江大学;

    申请/专利号CN201910340501.7

  • 发明设计人 张宁;叶志;

    申请日2019-04-25

  • 分类号

  • 代理机构杭州求是专利事务所有限公司;

  • 代理人万尾甜

  • 地址 310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

  • 入库时间 2024-02-19 14:12:23

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-10-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L51/50 申请日:20190425

    实质审查的生效

  • 2019-09-06

    公开

    公开

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