FeSe多晶界超导体及其制备方法

摘要

本发明涉及一种FeSe多晶界超导体的制备方法，其包括：将一未处理的SrTiO3多晶界衬底置于一真空室中，该真空室的压强低于10‑9mbar，其中，该未处理的SrTiO3多晶界衬底包括多个共面拼接设置且晶向不同的SrTiO3单晶衬底，相邻SrTiO3单晶衬底之间具有沟槽，且每个SrTiO3单晶衬底表面为非原子级平整；将该未处理的SrTiO3多晶界衬底加热至1050℃以上，对该未处理的SrTiO3多晶界衬底退火10分钟以上；将该真空室温度降到650℃～800℃，然后向该真空室通入含氧气氛，使真空室压强保持在1×10‑6mbar～1×10‑4mbar，对该退火后的SrTiO3衬底进行补氧处理10分钟～30分钟；以及在该补氧处理后的SrTiO3多晶界衬底表面生长FeSe多晶界高温超导薄膜。本发明还涉及一种采用上述方法制备的FeSe多晶界超导体。