一种量子反常霍尔效应薄膜微结构器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种量子反常霍尔效应薄膜微结构器件的制备方法，具体步骤如下：在拓扑绝缘体材料的Al2O3层上匀涂电子束胶作为保护层；在保护层上匀涂紫外正性光刻胶；采用光刻工艺将掩膜的图形转移到紫外正性光刻胶上；采用等离子去胶机去除刻蚀图形的保护层；利用离子束刻蚀机在拓扑绝缘体材料上刻蚀Al2O3层及Cr掺杂(Bi,Sb)2Te3层，将掩膜的图形转移到拓扑绝缘体材料上；利用丙酮及异丙醇洗掉剩余的保护层和紫外正性光刻胶，干燥，得到量子反常霍尔效应薄膜微结构器件。本发明避免普通光刻工艺显影阶段对Al2O3薄膜的腐蚀，避免电子束曝光电荷积累造成的量子反常霍尔效应无法调控的问题，成功实现微纳加工后的量子反常霍尔效应。