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交叉点存储器单元的阵列和形成交叉点存储器单元的阵列的方法

摘要

一种形成交叉点存储器单元的阵列的方法包括使用两个且仅两个掩蔽步骤以在所述阵列间隔开的下部第一线、与所述第一线交叉的间隔开的上部第二线以及在此类交叉处在所述第一线与所述第二线之间的个体可编程装置内共同地图案化,所述个体可编程装置具有横向地在所述上部第二线的个体下方的紧邻的所述第一线之间的可编程材料的朝上开口的大体上U形的垂直截面。公开了独立于制造的方法的交叉点存储器单元的阵列。

著录项

  • 公开/公告号CN109155314A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-01-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 美光科技公司;

    申请/专利号CN201780028525.8

  • 发明设计人 D·V·N·拉马斯瓦米;

    申请日2017-05-10

  • 分类号

  • 代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人王龙

  • 地址 美国爱达荷州

  • 入库时间 2024-02-19 09:48:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-01-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/11514 申请日:20170510

    实质审查的生效

  • 2019-01-04

    公开

    公开

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