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公开/公告号CN109346529A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-02-15
原文格式PDF
申请/专利权人 西安电子科技大学;
申请/专利号CN201810984729.5
发明设计人 郑雪峰;郝跃;马晓华;白丹丹;吉鹏;
申请日2018-08-28
分类号
代理机构西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人郝梦玲
地址 710071 陕西省西安市太白南路2号
入库时间 2024-02-19 07:24:19
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-03-12
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/872 申请日:20180828
实质审查的生效
2019-02-15
公开
机译: 具有铝表面层的GaN基肖特基势垒二极管
机译: 带有场板的GaN基肖特基势垒二极管
机译:具有部分P-AlGaN帽层的新型AlGaN / GaN肖特基势垒二极管和用于高击穿和低开启电压的凹陷双金属阳极
机译:缓冲层中具有不同Fe掺杂浓度的硅衬底上的AlGaN / GaN肖特基势垒二极管
机译:具有低起始电压和强大反向阻断功能的快速开关GaN基横向功率肖特基势垒二极管
机译:具有低位错密度漂移层的硅衬底上的高性能准垂直GaN肖特基势垒二极管
机译:薄纳米晶金刚石基肖特基势垒二极管和其他两个端子结构的电性能。
机译:GaN基纳米级肖特基势垒二极管中的势垒不均匀性限制了电流和1 / f噪声的传输
机译:一个击穿增强的AlGaN / GaN肖特基势垒二极管,其中T阳极位置深入底部缓冲层
机译:一种无晶须肖特基势垒二极管的制作与优化