...
机译:低温下电离杂质和界面粗糙度散射对InAs / GaSb II型超晶格中电子迁移率的影响
K.P Hamiltonian; interface roughness scattering; ionized impurity scattering; electron mobility;
机译:低温下电离杂质和界面粗糙度散射对InAs / GaSb II型超晶格中电子迁移率的影响
机译:InAs-GaSbⅡ型超晶格在低温下由于界面粗糙度散射引起的垂直和面内电子迁移率研究[J.应用物理115,146101(2014)]
机译:InAs / GaSb-II型超晶格在低温下由于界面粗糙度散射而引起的垂直和平面电子迁移率的研究
机译:INAS / GASB II型超晶格作为低温热电
机译:InAs / GaSb和基于InAs / InAsSb II型超晶格的红外器件的暗电流抑制,光学性能改进和高频操作
机译:具有可控AsxSb1-x界面的InAs / GaSb II型超晶格的金属有机化学气相沉积生长
机译:多子带二维半导体系统中离子杂质扩散引起的低温电子迁移率