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机译:使用rbs和沟道技术研究AlGaN外延层薄膜的深度依赖四方畸变
IIIV semiconductors; RBS and channeling; tetragonal distortion; thin film;
机译:使用rbs和沟道技术研究AlGaN外延层薄膜的深度依赖四方畸变
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机译:在Si(111)上具有三层AlGaN中间增长的GaN癫痫术的深度依赖四方畸变的研究
机译:使用依赖于深度的阴极发光光谱研究4H和6H碳化硅薄膜和肖特基二极管。
机译:四方CuMnAs薄膜中的反铁磁结构
机译:Si(111)上GaN外延层的位错密度和四方畸变:RBS / C和TEM的比较研究