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机译:使用0.25μmALGaN / GaN HEMT技术在SiC衬底上的X波段MMIC低噪声放大器MMIC
Allium nitride; Low-noise amplifier; Microwave monolithic integrated circuit;
机译:使用0.25μmALGaN / GaN HEMT技术在SiC衬底上的X波段MMIC低噪声放大器MMIC
机译:s.i.上的GaN / AlGaN HEMT混合和MMIC微带功率放大器SiC基板
机译:用于现代无线电通信的SiC和硅基板上的高功率微波GaN / AlGaN HEMT和MMIC
机译:在SiC衬底上使用AlGaN / GaN HEMT技术的X波段低噪声放大器MMIC
机译:使用氮化镓HEMT的毫米波宽带功率放大器MMIC的开发。
机译:0.1μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的改进大信号模型及其在W波段实用单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:s.i上的微带X波段AlGaN / GaN功率放大器MMIC SiC基板
机译:高功率,高效率sspas中siC和蓝宝石mmIC上微波alGaN / GaN HEmT的沟道温度模型