退火对CdZnTe薄膜阻变特性影响研究

摘要

CdZnTe(简称为CZT)薄膜是近年发展起来的一种性能优异的新型半导体材料,可用于探测器、太阳能电池、阻变存储器等方面。然而,CdZnTe材料发生电阻转变的物理机制还不太清晰,本论文采用射频磁控溅射制备具有阻变特性的CdZnTe薄膜,利用X射线衍射仪、原子力显微镜和半导体测试系统等设备测试分析CdZnTe薄膜的结构、表面形貌及电学性能,研究退火对其阻变特性的影响。