東芝メモリ、世界初、TSV技術を適用した3次元プラツシュメモリーを開発

摘要

東芝は世界で初めてTSV技術を用いた3ビット／セル（TLC）の3次元フラッシュメモリー「BiCS FLASH（TM）」を試作し、2017年6月から開発用に試作品の提供を開始した。製品のサンプル出荷は2017年中を予定している。また、試作品は8月7日から10日まで米国サンタクララで開催される「Flash Memory Summit 2017」で参考展示する。