東芝メモリ世界初、TSV技術を適用3ビット／セル3次元フラッシュメモリー試作

摘要

東芝メモリは世界で初めてTSV(シリコン貫通電極)技術を用いた3ビット／セル(TLC)の3次元フラッシュメモリー「BiCS FLASH」を試作し、6月から開発用に試作品の提供を開始した。 TSV技術は、複数のチップの内部を垂直に貫通する電極を用いることにより、データ入出力の高速化と消費電力の低減が可能となるもので、同社は2次元のNAND型フラッシュメモリーへの適用実績がある。