机译:ALD驱动HFO2和AL2O3缓冲层对基于DY基介质界面化学和电特性的比较钝化作用
Anhui Univ Sch Phys &
Mat Sci Radiat Detect Mat &
Devices Lab Hefei 230601 Anhui Peoples R China;
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Technol Sch Mech &
Optoelect Phys Huainan 232001 Peoples R China;
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机译:ALD驱动HFO2和AL2O3缓冲层对基于DY基介质界面化学和电特性的比较钝化作用
机译:ALD驱动层压层间界面TMA钝化高k / GE栅极堆栈的界面化学和介电优化
机译:InAlAs上原子层沉积的Al2O3和HfO2:界面和电学特性的比较研究
机译:用于高级MIS电容器的超薄HfO2 / Al2O3 / HfO2三层栅极电介质的电气特性
机译:使用远程等离子处理的栅极电介质和钝化层的氮化镓-电介质界面形成。
机译:通过插入HfO2:Al2O3(HAO)电介质薄层来增强Pt / BaTiO3 / ITO结构中的电阻切换特性
机译:使用O-2等离子体对HfO2栅介电层的Ge(100)有效电钝化