机译:通过化学气相沉积生长石墨烯的比较表征,转移到非导电基板,并使用X射线光电子和拉曼光谱进行AR离子轰击
Peter Great St Petersburg Polytech Univ St Petersburg Russia;
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Peter Great St Petersburg Polytech Univ St Petersburg Russia;
Russian Acad Sci Ioffe Inst St Petersburg Russia;
St Petersburg State Univ St Petersburg Russia;
Russian Acad Sci Ioffe Inst St Petersburg Russia;
Peter Great St Petersburg Polytech Univ St Petersburg Russia;
机译:通过化学气相沉积生长石墨烯的比较表征,转移到非导电基板,并使用X射线光电子和拉曼光谱进行AR离子轰击
机译:化学气相沉积生长石墨烯和少量层石墨烯转移到绝缘SiO_2 / Si衬底上的各种方法的比较
机译:将氟掺入通过等离子体化学气相沉积法沉积的非晶氢化碳膜中:通过X射线光电子能谱和拉曼光谱研究的结构修饰
机译:通过脉冲激光沉积生长的Si和MgO基板上Fe_3O_4薄膜的X射线光电子谱研究
机译:通过铝的物理气相沉积和等离子体增强的三甲基硅烷化学气相沉积产生的薄膜的原位X射线光电子能谱分析。
机译:SiC化学气相沉积生长外延石墨烯晶界应变松弛的拉曼研究
机译:通过化学气相沉积生长的石墨烯的纳米级摩擦学系,并转移到氧化硅基材上
机译:si(100)上乙烯化学气相沉积生长si-C薄膜的X射线光电子能谱研究。