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机译:增强模式研究HFO2绝缘N-极性GaN / Inn / GaN / In0.9Al0.1N异质结构Mishemt用于高频应用
SKP Engn Coll Tiruvannamalai India;
SKP Engn Coll Tiruvannamalai India;
Dayananda Sagar Univ Bangalore Karnataka India;
Biju Patnaik Univ Technol Odisha India;
Enhancement mode; Hydrodynamic simulation; InN channel; N-polar MISHEMT; In0.9Al0.1N back-barrier/buffer;
机译:增强模式研究HFO2绝缘N-极性GaN / Inn / GaN / In0.9Al0.1N异质结构Mishemt用于高频应用
机译:InN和InN / GaN异质结构的光电子光谱研究
机译:Pseudomorphic scain / GaN,Gain / Gan,Inain / Gan和Inain / Inn异质结构的极化诱导界面和电子纸张电荷
机译:分子束外延的Ga-and N极性GaN模板对荷族和N-极性GaN模板的比较研究
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:角分辨X射线光电子能谱研究Al2O3封端的GaN / AlGaN / GaN异质结构的表面极化
机译:介电膜对GaN和GaN / AlGaN异质结构的表面钝化及其在绝缘栅异质晶体管中的应用
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管