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孙立伟; 高勇; 杨媛; 刘静;
西安理工大学自动化学院电子工程系;
双栅; 双应变沟道; CMOS;
机译:长n沟道双栅全耗尽SOI MOSFET中的类扭结效应
机译:具有应变Si / Ge通道的双材料全栅全耗尽SOI MOSFET
机译:短沟道全耗尽双材料栅绝缘体上金属-氧化物-半导体场效应晶体管的新分析模型
机译:用于高性能模拟应用的全耗尽双栅(DG)SOI MOSFET的横向非对称沟道设计分析
机译:用于超低压应用的钨栅完全耗尽SOI CMOS器件和电路的研究。
机译:双栅三有源层沟道用于AMOLED像素电路的IGZO薄膜晶体管的设计与分析
机译:具有pearson-IV型掺杂分布的双材料双栅全耗尽sOI mOsFET的分析表征
机译:全耗尽sOI(绝缘体上硅)mOsFET的短沟道效应
机译:双轴应变SOI衬底中的应变转换,以增强P沟道和N沟道晶体管的性能
机译:FinFET pMOS双栅半导体器件,具有通过可收缩的栅电极材料施加到沟道的单轴拉伸应变,<110>晶体取向的电流以及具有沟道的源极和漏极肖特基接触及其制造方法
机译:自耗尽边缘背栅引起的具有反向短沟道效应(SCE)的全耗尽型低体掺杂场效应晶体管(FET)
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