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机译:基于Nox的阈值开关的负差分电阻区域中的多个斜率
NaMLab gGmbH Noethnitzer Str 64 D-01187 Dresden Germany;
Tech Univ Dresden Fac Elect &
Comp Engn D-01062 Dresden Germany;
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Comp Engn D-01062 Dresden Germany;
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NaMLab gGmbH Noethnitzer Str 64 D-01187 Dresden Germany;
NaMLab gGmbH Noethnitzer Str 64 D-01187 Dresden Germany;
threshold switching; relaxation oscillator; niobium oxide; memristor; non-linear circuits; negative differential resistance;
机译:基于Nox的阈值开关的负差分电阻区域中的多个斜率
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