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摘要
第一章 绪论
1.2 铁电体材料简介
1.3 钛酸钡(BaTiO3)材料的结构、性质及应用
1.3.1 BaTiO3基本性质与晶体结构
1.3.2 BaTiO3的特性及其应用
1.4 钛酸钡(BaTiO3)材料的发展历史及其研究现状
1.5 几种类型的存储器简介
参考文献
第二章 钛酸钡(BTO)薄膜的制备及表征
2.1 脉冲激光沉积
2.1.1 脉冲激光沉积(PLD)系统
2.1.2 PLD沉积薄膜的原理
2.2 其他薄膜制备方法及其比较
2.3 表征手段
2.3.1 X射线衍射(XRD)
2.3.2 压电力显微镜(PFM)
2.3.3 电流源表Keithley2400简介
2.3.4 阻抗分析仪Aglient 4294A的简介
2.3.5 DLTS深能级测试仪简介
2.4 本章小结
参考文献
第三章 Au/BTO/FTO器件的制备及其负微分电阻效应
3.1 导电玻璃(FTO)衬底上生长BTO的多晶薄膜
3.1.1 衬底的选择及清洗
3.1.2 利用PLD设备生长BTO薄膜
3.1.2 样品的XRD表征
3.2 Au/TO/FTO异质结的阻变开关现象和负微分电阻(NDR)现象
3.2.1 Au/BTO/FTO的Ⅰ-Ⅴ特性
3.3 Au/BTO/FTO器件的开关循环性和保持性
3.4 实验现象分析
3.5 本章小结
参考文献
第四章 时间效应对Au/BTO/FTO器件的负微分电阻效应的影响
4.1 仪器的选择和搭建
4.2 脉冲电压信号对Au/BTO/FTO器件的影响
4.2.1 阻变特性及其原因
4.2.2 器件Au/BTO/FTO由不同触发电压引起的多级阻变效应
4.3 本章小结
参考文献
第五章 不同氧压下的BTO薄膜的电学特性的比较和低温下该器件的Ⅰ-Ⅴ变化
5.1 不同的氧压对的BTO薄膜的影响
5.1.1 制备方法
5.1.2 Ⅰ-Ⅴ测试
5.2 温度对的BTO薄膜电学性质的影响
5.2.1 仪器的选择
5.2.2 Au/BTO/FTO的深能级谱
5.3 外延钛酸钡薄膜的制备
5.3.1 在SrTiO3(111)上生长外延的BTO薄膜
5.3.2 CAFM和PFM图谱
5.4 本章小结
参考文献
总结与展望
致谢
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