机译:基于N-ZnO纳米线/ P-Si衬底的异质结二极管的制造:温度依赖性传输特性
Hashemite Univ Dept Phys POB 150459 Zarqa Jordan;
Najran Univ Fac Sci &
Arts Dept Chem Najran 11001 Saudi Arabia;
n-ZnO Nanowires; p-Silicon; Heterojunction Diode;
机译:基于N-ZnO纳米线/ P-Si衬底的异质结二极管的制造:温度依赖性传输特性
机译:CBD / CBD生长的n-ZnO纳米线/ p-Si异质结二极管的温度相关电特性
机译:CBD / CBD生长的n-ZnO纳米线/ p-Si异质结二极管的温度相关电特性
机译:Au催化剂通过气相传输方法辅助ZnO纳米线的生长对P-Si / N-ZnO异质结二极管的制备
机译:具有和不具有界面层的n-ZnO / p-Si单异质结太阳能电池的开发。
机译:使用具有增强发光的n-ZnO / NiO / p-GaN异质结制造白色发光二极管
机译:P-SNS / N-WO3:Sb异质结二极管的温度依赖电气传输特性